レジストリソグラフィー技術の基礎と
実務およびトラブル対策
~レジスト材料、プロセス、装置の最適化方法とパターン欠陥対策、量産技術~
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【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS等、、レジストに携わっている方、これから携わる方は是非
レジスト材料プロセス技術の高度化や深刻化するフォトレジストの品質が製品に与える影響に対応するために
レジストおよびその周辺に材料、装置、プロセスの各方面からアプローチします
レジストプロセスの最適化技術と各種特性評価法
レジスト欠陥、トラブル発生メカニズム、プロセス・装置の最適化、付着・濡れ・欠陥等の不良・トラブル対策
日時 | 【ライブ配信】 2025年9月11日(木) 10:30~16:30 |
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【アーカイブ配信】 2025年9月30日(火) まで受付(視聴期間:9/30~10/14) |
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受講料(税込)
各種割引特典
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定価:本体40,000円+税4,000円 E-Mail案内登録価格:本体38,200円+税3,820円 ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。
本体22,000円+税2,200円(1名あたり) ※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。 ※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
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配布資料 | PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、S&T会員のマイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日からダウンロード可となります。 | |||
オンライン配信 | ライブ配信(Zoom) ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認(申込み前に必ずご確認ください) | |||
備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |||
得られる知識 | レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ、最適化法、トラブル対処法、ユーザー側での評価手法などが習得できます。 | |||
対象 | レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者、および、レジスト材料を扱う方、レジストを使用して製品・開発を生産する方、レジスト分野の技術指導をする方など、広範囲の方を対象としています。 |
セミナー講師
セミナー趣旨
本セミナーでは、レジスト材料の開発者、レジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、そしてリソグラフィ工程でトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセス最適化の方法、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルへの対応策に焦点を当て、評価・解決のアプローチを丁寧に解説します。また、レジスト形状寸法制御、処理条件の設定方法、研究開発やトラブル対応など、実務における具体的な取り組み方についても、豊富な実例を交えて紹介します。さらに、レジストユーザーの視点とは何かについても、講師の実体験を踏まえて詳しくご説明いたします。受講者の皆様が日々直面しているトラブルやノウハウに関するご相談にも、個別に対応いたします。
セミナー講演内容
・実用化トレンド(分類)
・ウェットエッチング用レジスト(アンダーカット)
・ドライエッチング用レジスト(選択比、プラズマ耐性)
・イオン注入用レジスト(注入イオン分布、残留イオン汚染)
・めっき用レジスト(ドライフィルム、金属配線形成)
・ソルダーレジスト(プリント基板)
・構造用レジスト(MEMS、光造形)
・厚膜用レジスト(段差平坦化、Orchardの式、多層レジストプロセス)
・カラーレジスト(ディスプレイ、顔料相分離)
2.レジスト材料・プロセスの基礎(これだけは習得しておきたい)
2-1 レジスト材料とプロセスの最適化
・レジストの光化学反応(ポジ、ネガ、化学増幅型、EUV、TMAH溶解)
・プロセスフロー(CAD設計、シフト量、ラインマッチング)
・ポジ型/ネガ型の選択基準(ピンホール転写欠陥)
・マルチパターニング技術(LELE、非解像補助パターンSRAF)
・直接描画技術(マスクレス、インクジェット)
2-2 露光描画技術の最適化
・露光システム(回折光、ステッパー、スキャナー、液浸、EUV)
・レイリ―の式(解像力、焦点深度)
・重ね合わせ技術(TTL、アライメントマーク)
・位相シフト技術、ペリクル技術(高解像化とマスク欠陥対策)
2-3 レジスト寸法と形状の最適化
・光学像コントラスト(光回折劣化)
・残膜曲線(感度、γ値、最適露光時間)
・溶解コントラスト(レジスト垂直性)
・現像コントラスト(現像液濃度の最適化)
・CD寸法制御1(露光量/フォーカス依存性、process window)
・CD寸法制御2(寸法リニアリティー、バルク効果、膜内多重反射)
・パターン断面改善(段差部変動)
・反射防止膜(TARC,BARC)
・プロセス制御(PEB、LENOS、イメージリバーサル)
・耐エッチングコントラスト(選択比、ローディング効果)
・シミュレーション技術
(レジスト形状、ノズル塗布、スピンコート、パターン内3次元応力解析)
2-4 レジスト処理装置・シーケンスの最適化とその要点
・HMDS処理(シランカップリング、vapor処理、剥離防止)
・コーティング(スピン、膜厚分布、乱流、スプレー、スキャン塗布、ラミネート)
・現像(ディップ、パドル、スプレー)
・乾燥(ホットプレート、プロキシミティー、減圧、真空)
・レジスト除去(アッシング、剥離液、IPA乾燥、物理除去)
3.レジスト欠陥・トラブル対策(歩留り向上の最優先対策とは)
3-1 致命欠陥とは
・欠陥と歩留まり(ウェットプロセスの貢献)
・配線上異物(致命/非致命欠陥、ショート/オープン欠陥、バブル欠陥)
・塗布ミスト(エッジ盛上り、EBRエッジバックリンス)
・接触異物(発塵、ウェハケース、ピンセット)
3-2 レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
・接着促進要因と剥離促進要因(バランスモデル、破断面解析)
・ドライ/ウェット中での付着エネルギー解析
(表面エネルギー、分散・極性成分マップ、付着/浸漬/拡張モデル)
・乾燥剥離(毛細管現象、パターン間メニスカス、エアートンネル)
・応力歪み、膨潤、軟化(応力集中、膜内浸透)
・検査用パターン(サイズ、形状依存性)
・パターン直接剥離解析(DPAT法)
3-3 レジスト膜欠陥と対策
・ストリーエーション(スジ状膜厚むら)
・膜分裂(超薄膜化と自己組織化)
・乾燥むら(乾燥対流とベナールセル、光多重干渉)
・白化(ソルダーレジスト、ソルベントクラック)
・ピンホール、はじき(拡張濡れ対策)
・膨れ(ブリスター)
・現像バブル対策(界面活性剤)
4.参考資料
・塗膜トラブルQ&A事例集(トラブルの最短解決ノウハウ)
・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法(測定方法)
5.質疑応答
(日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます)
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・沸騰冷却 / 磁性流体 / 電気流体力学(EHD) 現象を利用した、熱輸送デバイスの開発
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環境発電・エネルギーハーベスティング技術―デバイス開発と応用展開―
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