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セミナーセミナー番号:B251031(強誘電材料・デバイス)

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強誘電材料の特性・基礎と
強誘電デバイス・二次元強誘電体の作製および応用展望

■強誘電体のエピタキシャル成長、エピタキシャル薄膜の剥離技術、二次元強誘電体への展望■

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★ 今注目の強誘電材料技術、最新動向！
★ 特に強誘電体超薄膜を剥離して作製した二次元強誘電体を中心に解説します。

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【Live配信】 2025年10月31日（金） 13:00～16:30

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備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

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セミナー講師

大阪大学大学院工学研究科教授　菅大介　氏
＜経歴＞
2006年－2007年　京都大学化学研究所　博士研究員
2007年－2009年　日本学術振興会　海外特別研究員
2009年－2010年　Research Associate, University of Maryland
2010年－2014年　京都大学化学研究所　助教
2014年－2025年　京都大学化学研究所　准教授
2025年-現在　大阪大学大学院工学研究科　教授
＜専門＞
薄膜材料科学
＜受賞＞
・2012年第31回応用物理学会講演奨励賞
・2017年科学技術分野の文部科学大臣表彰・若手科学者賞
・2017年平成28年度粉体粉末冶金協会賞研究進歩賞
＜WebSite＞
https://www-chem.eng.osaka-u.ac.jp/~kan-lab/

セミナー趣旨

　強誘電体は、現代の高度情報化社会を下支えする重要な材料です。本講演では、強誘電体の基礎からデバイス応用に至るまでを、最新の研究動向、特に強誘電体超薄膜を剥離して作製した二次元強誘電体に焦点を当てながら、解説します。

セミナー講演内容

＜得られる知識・技術＞
強誘電体に関する知識、実験技術、最新の研究動向

＜プログラム＞
１．強誘電体材料の歴史・進展

２．強誘電体の基礎特性

３．酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性

４．強誘電体のエピタキシャル成長技術

５．強誘電エピタキシャル薄膜の基礎特性

６．強誘電体のサイズ効果・クランピング効果・ストレイン効果

７．酸化物超薄膜の（強）誘電特性

８．エピタキシャル薄膜の剥離技術

９．エピタキシャル薄膜の剥離により作製したメンブレン結晶の特性

１０．酸化物メンブレン結晶の最新研究動向

１１．強誘電ゲートトランジスタ・強誘電デバイス

１２．二次元強誘電体の応用展望

１３．二次元強誘電体の最新の研究成果・今後の展望

　　□質疑応答□

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