B251223:次世代リソグラフィ技術の最新動向と今後の展望 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B251223(次世代リソグラフィ)

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次世代リソグラフィ技術の最新動向と今後の展望

～EUVリソグラフィ等の各要素技術、メタルレジスト・ブロック共重合体等の微細加工材料～

受講可能な形式：【Live配信】のみ

■まとめて受講がおトクな　“セット申込み”があります！■
●「12/18EUVリソグラフィー」と「12/22フォトレジスト」2セミナーをセットで。
　　　　　　詳しくは → https://www.science-t.com/seminar/S251260.html
●「12/22フォトレジスト」と「12/23次世代リソグラフィ」2セミナーをセットで。
　　　　　　詳しくは → https://www.science-t.com/seminar/S251270.html
●「12/18EUVリソグラフィー」と「12/23次世代リソグラフィ」2セミナーをセットで。
　　　　　　詳しくは → https://www.science-t.com/seminar/S251280.html
●「12/18EUVリソグラフィー」と「12/22フォトレジスト」と「12/23次世代リソグラフィ」3セミナーをセットで。
　　　　　　詳しくは → https://www.science-t.com/seminar/S251290.html

　本セミナーでは、EUVリソグラフィや自己組織化リソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ等、近年活発に研究開発がなされている次世代リソグラフィ技術それぞれの原理、技術動向、その微細加工材料などに関する最新動向について概説するとともに、講師の最新の成果を解説する。

このセミナーの受付は終了致しました。

日時

2025年12月23日（火） 13:00～17:00

受講料(税込)

各種割引特典

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定価：本体45,000円＋税4,500円

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　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
　　※他の割引は併用できません。

配布資料

・PDFテキスト(印刷不可・編集不可)
　※開催2日前からを目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信

ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義の録音・録画・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

・次世代リソグラフィの技術動向
・レジスト材料開発
・半導体の微細化と極端紫外線（EUV）の基礎について
・EUV化学増幅型レジストシステムと反応機構について
・メタルレジストについて
・ブロック共重合体による自己組織化リソグラフィについて
・電子線リソグラフィについて
・ナノインプリントリソグラフィについて

対象

・微細加工関係の研究開発に携わる方
・レジストおよびブロック共重合体材料開発に携わる方
・化学や物理化学の基礎知識を有することが望ましいが、必須ではない

このセミナーは終了しました。

このセミナーへの問合せ（再開催・社内研修）

セミナー講師

(国研)量子科学技術研究開発機構高崎量子技術基盤研究所
先端機能材料研究部プロジェクトリーダー(上席研究員)　山本洋揮氏

[その他肩書・活動等]
大阪大学産業科学研究所客員准教授
群馬大学理工学府客員准教授

セミナー趣旨

　コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において3次元微細加工技術と並んで極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NAEUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が検討されている。

　本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、近年活発に研究開発がなされている次世代リソグラフィ技術におけるそれぞれの原理、技術動向、他のリソグラフィ技術と比較した際の優位点をはじめ、実用化・普及の可能性、その微細加工材料などに関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。

セミナー講演内容

１．はじめに
　１.1 リソグラフィ技術の変遷
　１.2 EUVリソグラフィの現状と課題
　１.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
　１.4 次世代リソグラフィ技術の動向

２．EBリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
　2.1 電子ビームリソグラフィの位置づけ
　2.2 電子ビームの散乱と阻止能
　2.3 電子線レジスト
　　2.3.1 電子線レジストの種類
　　2.3.2 化学増幅型レジストの酸発生機構
　　2.3.3 ラインエッジラフネス（LER）の原因の解明
　　2.3.4 反応機構に基づいたEBリソグラフィ用単一成分化学増幅型レジスト

３．EUVリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
　3.1 EUVリソグラフィの基礎
　3.2 EUVリソグラフィの現状と課題
　3.3 EUVレジスト
　　3.3.1 EUVレジストの種類
　　3.3.2 EUVリソグラフィ用レジスト材料の要求特性
　　3.3.3 EUV化学増幅型レジストの反応機構とEBレジスト設計指針との違い
　　3.3.4 EUV化学増幅型レジストの問題点
　3.4 EUVメタルレジスト開発
　　3.4.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
　　3.4.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
　　3.4.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
　　3.4.4 メタルレジスト材料の性能評価
　　3.4.5 セラミックスレジストの性能評価
　3.5 次世代EUVリソグラフィ（High-NA、Hyper　NA,　EUV-FEL、Beyond EUV）の技術動向と今後の展望

４．ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向
　4.1 ブロック共重合体の基礎
　4.2 電子線誘起反応によるブロック共重合体のラメラ配向制御
　4.3 新規ブロック共重合体の合成と評価

５．ナノインプリントリソグラフィ技術の現状と動向
　5.1 ナノインプリントリソグラフィ技術の基礎
　5.2 ナノインプリントリソグラフィ技術の現状と動向

６．おわりに

□ 質疑応答 □

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次世代リソグラフィ技術の最新動向と今後の展望

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