■１日目■　2025年12月18日(木) 10:30～16:30
ＥＵＶリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と課題解決策および今後の展望

＜セミナー講師＞
兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 次世代EUVL寄附講座 PI・特任教授　渡邊 健夫　氏

＜趣旨＞
　極端紫外線リソグラフィー（EUVL）技術は３０年に開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。一方で、2 nm node以降のロジックデバイス向けのEUVL技術について多くの技術課題を抱えています。
　EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。

＜得られる知識・技術＞
極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤技術全般に亘り解説します。

＜プログラム＞
１．はじめに
　1.1 IoTおよびAIに期待すること
　1.2 半導体市場
　1.3 半導体国際ロードマップから読み取れること
　1.4 半導体微細加工技術の必要性
　1.5 今後の半導体技術動向と市場との関係
　1.6 今後の半導体技術に期待すること
２．リソグラフィー技術
　2.1 リソグラフィー技術の変遷
　2.2 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
　2.3 EUVリソグラフィーとは
　　　EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要
３．兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
　3.1 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
　3.2 ニュースバル放射光施設の紹介
４．EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
　4.1 レジスト材料プロセス技術
　4.2 マスク欠陥技術
　4.3 ペリクル技術
　4.4 光源技術
５．次世代EUVリソグラフィー
　5.1 Hyper NA
　5.2 Beyond EUV(EUVリソグラフィーの短波長化)
６．日本の半導体技術の過去、現在、今後
　　日本の半導体技術の覇権に重要な要素
７．まとめ

　　□質疑応答□
 

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■２日目■　2025年12月22日(月) 10:30～16:30
高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

＜セミナー講師＞
関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 博士（工学）　工藤 宏人　氏

＜趣旨＞
　フォトレジスト材料は、ポジ型、ネガ型、化学増幅型、非化学増幅型などとして分類され、i線、G線、KrF、ArF、EB、およびEUV露光用レジスト材料として活用されている。高感度化をすること、すなわち、露光量を少なくさせることは、短時間でパタンニング処理を可能にし、生産性を上げることを可能にする。しかし、それだけではなく、レジストパタンの解像性を上昇させ、レジストパタンのラフネスの改善にも大きく貢献することになる。次世代レジストシステムとして、EUV露光システムが実用化段階に入っているが、最も研究開発が必要とされているのは、EUV用のレジスト材料の開発である。現在のところ、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるとされるレジスト材料は未だない。新しいレジスト材料の開発は、様々なレジスト特性を評価検討する必要があるが、まずは少ない露光量でパタンニングが可能であること、すなわち高感度であることが最優先である。実際、EUV用レジスト材料においても、より高感度なレジスト材料の開発が急務とされている。                                                           
　本セミナーにおいて、露光システムに対応したレジスト材料の分子設計指針から、最新のEUV用レジスト材料の開発動向から、次世代の分子設計指針まで解説する。

＜プログラム＞
１．レジスト材料
　1.1 原理
　1.2 レジスト材料の例
　1.3 化学増幅型レジスト
２．ポジ型レジスト材料
　2.1 材料的な特性
　2.2 主な応用・用途
３．ネガ型レジスト材料
　3.1 材料的な特性
　3.2 主な応用・用途
４．高分子レジスト材料と低分子レジスト
　4.1 材料的な特性
　4.2 主な応用・用途
５．レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
　5.1 レジスト材料の評価項目，評価手法について
　5.2 レジスト材料の評価方法と開発例
６．最新型レジスト材料
　6.1 メタルレジスト
　6.2 EB,EUV用レジスト材料

　　□ 質疑応答 □