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【半導体後工程技術の深化、進化、真価】
BSPDN構造・ハイブリッド接合に向けた
プロセス、材料、集積技術の革新動向

受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

近年注目されている、BSPDN構造やハイブリッド接合。それらに用いられる材料や要素技術・動向・展望を紹介。

IITC 2025で発表されたBSPDN構造の熱マネジメント向上をはじめ、
自身も革新的な最先端テーマの研究に携わる横国大・井上先生による、先端3D集積の革新動向セミナーです。
日時 2026年2月10日(火)  13:00~16:30
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の24,750円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込みの場合:受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
 定価:本体36,000円+税3,600円
 E-Mail案内登録価格:本体34,400円+税3,440円
※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 22,000円
 本体20,000円+税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
 
■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合:37,840円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合:49,500円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料:1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合:66,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合:88,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合:110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)
開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
オンライン配信ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)

セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード/映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
開催日の【2日前】より視聴用リンクと配布用資料のダウンロードリンクが表示されます。

アーカイブ(見逃し)配信について
視聴期間:2月12日(木)PM~2月18日(水)
※アーカイブは原則として編集は行いません
※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。
(開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます)
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー講師

横浜国立大学 理工学部 機械・材料・海洋系学科 准教授 工学(博士) 井上 史大 氏
【専門】半導体プロセス 【講師紹介

セミナー趣旨

 半導体の前工程と後工程の境目がなくなってきており、さまざまな3D集積技術がトレンドに挙がってきている。本講演でそれら技術の詳細と必要となるプロセス技術、材料を紹介する。

セミナー講演内容

1.3Dロジックデバイス
 
1.1 BSPDNとは?
 1.2 開発動向
 1.3 必要となる要素技術

   ・ウエハ接合
   ・ウエハエッジ
   ・Si薄化
   ・リソグラフィコレクション

2.Wafer-to-Wafer ハイブリッド接合
 2.1 ハイブリッド接合とは?
 2.2 開発動向
 2.3 Cuパッドデザイン
 2.4 アライメント精度
 2.5 接合絶縁膜
 2.6 めっき技術
 2.7 CMP技術
 2.8 洗浄技術
 2.9 プラズマ活性化技術
 2.10 接合強度測定

3.Die-to-Wafer ハイブリッド接合
 3.1 チップレット 
 3.2 ダイレベルハイブリッド
 3.3 ダイボンダ―
 3.4 ダイシング
 3.5 リコンストラクティッドボンディング
 3.6 接合強度測定手法


4.まとめ

  □質疑応答□

※上記の前回講演骨子をベースに更新予定。