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半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向
〜光と電子で「見る」技術の最先端〜

■ 光学・電子・プローブ顕微鏡による半導体検査と欠陥解析 ■
■ ウェハ・マスク欠陥検査、GAAトランジスタ解析 ■

受講可能な形式:【Live配信】or 【アーカイブ配信】のみ

 本セミナーでは、光学検査・電子顕微鏡・走査プローブ顕微鏡の基本原理から、ウェハ欠陥検査、マスク検査、GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析など、最新の検査・解析技術までを解説します。基礎から最新動向までを幅広く学べる内容です。是非この機会にお役立てください。

 ■ 得られる知識 ■
 ・光学検査装置や電子顕微鏡、プローブ顕微鏡等の基本的な原理や特徴
 ・半導体プロセスで必要とされる検査技術の種類・特徴
 ・半導体デバイス・プロセスのトレンドと最新の検査・解析技術の動向、将来展望



 

キーワード:半導体プロセス、物理解析、顕微鏡、検査装置

日時 【Live配信】 2026年1月23日(金)  13:00~16:30
【アーカイブ配信】 2026年2月9日(月)  まで受付(視聴期間:2/9~2/24)
受講料(税込)
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【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 22,000円
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4名で受講の場合:88,000円(税込)  ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合:110,000円(税込)  ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
配布資料 PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日(2/9)からダウンロード可となります。
オンライン配信ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認(申込み前に必ずご確認ください)
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
対象半導体プロセスにおける検査・解析について、基礎から最新動向までを幅広く知りたい方に適します。
予備知識は特に必要ありませんが、半導体の簡単なエネルギーバンド図に馴染みがあると理解しやすくなります

セミナー講師

東京大学 大学院新領域創成科学研究科・特任助教 博士(理学) 藤原 弘和 氏 
[ご専門]物性物理学、半導体デバイス
[ご経歴]
1991年、岡山県生まれ。2019年に岡山大学にて博士号(理学)を取得。
同年、東芝メモリ株式会社(現 キオクシア株式会社)入社。
同社メモリ技術研究所デバイス技術研究開発センター配属。
2021年より東京大学物性研究所附属極限コヒーレント光科学研究センター特任研究員
を経て、2024年より同大学大学院新領域創成科学研究科特任助教に着任。
光電子分光・顕微鏡を活用した半導体デバイスおよび材料開発を専門とし、
産学連携による先端分析技術の社会実装にも取り組む。
[HP] https://researchmap.jp/fujiwara_h

セミナー趣旨

 検査・解析により半導体デバイスの「出来栄え」を評価することは、デバイス開発、プロセス開発、製造コスト、品質保証等のあらゆる観点で不可欠なプロセスです。現代の先端ロジック・メモリ半導体集積回路を構成するデバイスは、サイズが小さくなっているのに加えて三次元化が進んでいます。半導体デバイスの世代が進むにつれて、微細かつ複雑な構造を持つデバイスをいかに検査するかという問題も大きく膨らんできています。
 本講座では、半導体プロセスにおける検査・解析技術の全体像と基礎原理を理解し、半導体集積回路のトレンドを踏まえどのような技術が開発されているかを理解することを目標とします。特に、光と電子を組み合わせた新しい解析技術について詳しく解説を行います。半導体デバイス・プロセス開発や製造で検査・解析に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

セミナー講演内容

1.半導体プロセスと検査
 1-1. 半導体集積回路のロードマップ
 1-2. 半導体プロセスの基礎
 1-3. 半導体プロセス中の検査の種類と用途

2.光学検査の基礎
 2-1. 光学顕微鏡
 2-2. レーザー顕微鏡
 2-3. 白色干渉計
 2-4. ウェハ欠陥検査装置
 2-5. マスク検査装置

3.電子線検査の基礎
 3-1. 走査型電子顕微鏡(SEM)
 3-2. 透過型電子顕微鏡(TEM)
 3-3. 走査透過型電子顕微鏡(STEM)
 3-4. 電子エネルギー損失分光(EELS)

4.走査プローブ検査の基礎
 4-1. 原子間力顕微鏡(AFM)
 4-2. 走査型静電容量顕微鏡(SCM)
 4-3. 走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)
 4-4. ケルビンプローブフォース顕微鏡(KPFM)

5.最近の検査・解析技術の動向
 5-1. 半導体製造現場から高まる要求と技術課題
 5-2. リソグラフィ検査―レジストの形状/化学解析
 5-3. ウェハ欠陥検査―SiCウェハの非破壊検査
 5-4. マスク欠陥検査―EUVマスクブランクスの位相欠陥検出
 5-5. 先端プロセス・デバイス検査―GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析

6.将来展望とまとめ、Q&A

 □質疑応答□