セミナー 印刷

クライオエッチングの基礎・現状・課題と
低温下における表面反応

受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

デバイス微細化と三次元化に向けて注目の「クライオエッチング」基礎・現状・課題とその全貌を半日速習!
プロセス制御、材料選定などに広く基礎知識として押さえておきたい
低温下における表面反応について、解析結果とともに解説します。

 
日時 2025年10月28日(火)  13:00~16:30
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の24,750円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込みの場合:受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
 定価:本体36,000円+税3,600円
 E-Mail案内登録価格:本体34,400円+税3,440円
※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 22,000円
 本体20,000円+税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
 
■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合:37,840円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合:49,500円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料:1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合:66,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合:88,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合:110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)
開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
オンライン配信ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)

セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード/映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
開催日の【2日前】より視聴用リンクと配布用資料のダウンロードリンクが表示されます。

アーカイブ(見逃し)配信について
視聴期間:10月29日(水)PM~11月5日(水)
※アーカイブは原則として編集は行いません
※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。
(開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます)
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー講師

名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 特任教授 関根 誠 氏

セミナー趣旨

 先端半導体デバイス製造において、プラズマエッチングはデバイスの高性能化を牽引してきた不可欠なプロセス技術である。近年 デバイスの微細化に加え、三次元構造化が進められ、プラズマエッチングに対する要求は益々高まっている。ここで、エッチング速度の向上や形状制御の観点から、基板温度を氷点下から極低温領域まで冷却するクライオエッチングが注目されている。本講座では、クライオエッチングの開発経緯から、その基礎として低温下における表面反応の解析結果を示す。また、技術の現状と今後の課題を俯瞰し、当技術の全貌を解説する。

セミナー講演内容

1.背景

2.エッチングプロセスの基礎
 2.1 プラズマ生成と表面反応
 2.2 高アスペクト比(HAR)エッチング
 2.3 チャージング現象

3.クライオエッチングの開発経緯
 3.1 Si
 3.2 SiO2
 3.3 その他の材料

4.クライオエッチング技術の現状
 4.1 超高アスペクト比加工
 4.2 形状制御

5.クライオエッチングのハードウェア

6.低温における表面反応
 6.1 表面分析 FT-IR XPS 水添加の効果 水の役割
 6.2 表面抵抗評価
 6.3 表面層のイメージ‐疑ウェットプラズマエッチングの提案

7.クライオALE
 7.1 SiO2
 7.2 SiN
 7.3 金属材料

8. 課題と展望

9.まとめ


  □質疑応答□