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【オンデマンド配信】
高感度化フォトレジスト材料の
合成・設計・開発技術

~分子設計・合成方法と最新型EUV用レジスト材料の研究動向~

視聴期間:申込日から10営業日後まで(期間中は何度でも視聴可)
EUV用レジスト材料など更なる高感度化が求められる新規レジスト材料の開発
メタルレジスト、化学増幅型レジスト、非化学増幅型レジスト材料、、、、
EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料の合成・設計・開発
高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説
日時 2025年6月27日(金)  23:59まで申込み受付 ※映像時間:4時間24分
収録日時 2024年12月17日
受講料(税込)
各種割引特典
55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体50,000円+税5,000円
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4名で受講の場合:96,800円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合:121,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
配布資料製本資料 ※資料のあらゆる二次的な利用は固く禁じます。
講師メールアドレスの掲載:有(セミナーに関する質問に限りメールで質問が可能です)
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オンライン配信オンデマンド配信 ►受講方法・視聴環境確認 (申込み前に必ずご確認ください)
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※講師の所属などは、収録当時のものをご案内しております
得られる知識レジスト材料の合成方法、評価方法、開発方法
対象レジスト材料の開発に関する研究にご興味がある方
キーワード:レジスト材料、化学増幅型レジスト、非化学増幅型レジスト、EUV用レジスト材料、高感度化レジスト材料
 

セミナー講師

関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 博士(工学) 工藤 宏人 氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

 フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。現在、極端紫外線(EUV)露光システムが実用段階として運用されようとしている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料が開発されていない。
 本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

セミナー講演内容

1.レジスト材料
 1.1 原理
 1.2 合成例
 1.3 最新の化学増幅型

2.ポジ型レジスト材料
 2.1 材料的な特性
 2.2 主な応用・用途

3.ネガ型レジスト材料
 3.1 材料的な特性
 3.2 主な応用・用途

4.高分子レジスト材料と低分子レジスト
 4.1 材料的な特性
 4.2 主な応用・用途

5.EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
 5.1 レジスト材料の評価項目,評価手法について
 5.2 レジスト材料の評価方法と開発例

6.最新型EUV用レジスト材料
 6.1 メタルレジスト
 6.2 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料