～メタルレジストの構造、EUV露光における反応、半導体微細化の最新動向～

　講師：（国研）物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター 主幹研究員 博士（理学）　山下 良之　氏
　〇収録時間：2時間9分　　〇配布形式：PDF

＜趣旨＞
　近年2nmスケールの半導体が非常に注目を集めている。その中の核技術の1つとしてレジストがあげられる。本講演では1)メタルレジストがなぜ重要か、2)各社が開発したメタルレジスト、3)EUV光利用におけるメタルレジストの必要性、4)メタルレジストのEUV露光による反応機構を中心に講演を行っていく。必要に応じて、2nmスケール半導体作製における核技術、世界動向についても講演を行う。

　【詳細内容・個別申込みはこちら】 → https://www.science-t.com/seminar/O250511.html
 

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■セミナー２■『半導体用レジストの基礎と材料設計、環境配慮型の新規レジスト除去技術』
　　　　　　　　～ノボラック型・化学増幅型・EUV対応レジストの特性と評価、除去技術～

　講師：大阪公立大学 学長特別補佐 大学院工学研究科 高分子化学研究グループ 教授 博士(工学)　堀邊 英夫　氏
　〇収録時間：4時間20分　　〇配布形式：製本

＜趣旨＞
　半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。 レジスト剥離 (除去)技術 については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。
　また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

　【詳細内容・個別申込みはこちら】 → https://www.science-t.com/seminar/O250560.html
 

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■セミナー３■『高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術』
　　　　　　　　～分子設計・合成方法と最新型EUV用レジスト材料の研究動向～

　講師：関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 博士（工学）　工藤 宏人　氏
　〇収録時間：4時間24分　　〇配布形式：製本

＜趣旨＞
　フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。現在、極端紫外線（EUV）露光システムが実用段階として運用されようとしている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料が開発されていない。
　本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

　【詳細内容・個別申込みはこちら】 → https://www.science-t.com/seminar/O250515.html
 

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■セミナー４■『リソグラフィ技術の基礎およびEUVリソグラフィ・レジスト周辺技術と展望』
　　　　　　　　～微細加工技術、EUVリソグラフィ技術、事例、フォトリソグラフィ技術～

　講師：東京大学 大学院新領域創成科学研究科 特任助教 博士（理学）　藤原 弘和　氏
　〇収録時間：2時間59分　　〇配布形式：PDF

＜趣旨＞
　フォトリソグラフィ技術の進化は、半導体集積回路の集積度向上を支えてきました。最先端の極端紫外線（EUV）リソグラフィによって20 nm以下の線幅まで解像可能となり、微細化による半導体製品の高性能化のトレンドは継続するとみられます。しかし、EUVリソグラフィには特有の課題があり、レジスト材料等の最適化が進められています。
　本講演では、微細加工技術の基礎から始まり、フォトリソグラフィ技術の原理や特長、さらに最新のEUVリソグラフィ技術について、光と物質の相互作用に基づいて詳しく解説します。
　EUVリソグラフィの装置やレジスト、フォトマスクなどの要素技術から応用事例までを網羅し、最後にフォトリソグラフィ技術の課題と今後の展望について紹介します。これにより、微細加工分野における最先端技術の理解を深めていただくことを目的としています。

　【詳細内容・個別申込みはこちら】 → https://www.science-t.com/seminar/O250501.html