O250560:【オンデマンド】半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:O250560(【オンデマンド】レジスト材料設計/除去)

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【オンデマンド配信】
半導体用レジストの基礎と材料設計
および環境配慮型の新規レジスト除去技術

～ノボラック型・化学増幅型・EUV対応レジストの特性と評価、除去技術までを徹底解説～

視聴期間：申込日から10営業日後まで（期間中は何度でも視聴可）

ノボラック系・化学増幅型、EUV・厚膜対応レジストの構造と特性、材料設計を深掘りし、
評価手法、環境調和型の除去技術までの知識が身につく！

　半導体・ディスプレイ分野で欠かせないレジスト材料（感光性樹脂）やプロセスの基礎から材料設計、評価手法を丁寧に解説します。ノボラック系や化学増幅型、EUVレジストの特性、構造と機能の関係、そして最新の環境対応型レジスト除去技術（水素ラジカル、湿潤オゾンなど）まで紹介します。
　また、デバイスメーカー出身の講師視点から、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおける具体的なレジスト評価法についても詳しく解説します。

キーワード
レジスト、リソグラフィー、ノボラック系ポジ型レジスト、レジスト現像アナライザ（RDA）、化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト、レジスト除去（剥離）、オゾン、水素ラジカル、マイクロ（ナノ）バブル

日時

2025年6月27日（金） 23:59まで申込み受付中／【収録日：2025年2月20日（木）】※映像時間：4時間20分

会場

オンライン配信

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受講料(税込)

各種割引特典

55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体50,000円＋税5,000円

E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件

2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の27,500円)

テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込みの場合：受講料 44,000円(E-Mail案内登録価格 42,020円 )
　定価：本体40,000円＋税4,000円
　E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。

【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 24,200円
　本体22,000円＋税2,200円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

■■■受講人数ごとのお申込み例■■■

1名で受講の場合：42,020円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合：55,000円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり1名あたり27,500円(税込)
3名で受講の場合：72,600円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
4名で受講の場合：96,800円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合：121,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)

配布資料

製本テキスト
　※セミナー資料はお申込み時にご指定の住所へ発送させていただきます。
　※申込み日から営業日3日までに発送いたします。
講師メールアドレスの掲載：有

オンライン配信

オンデマンド配信　►受講方法・視聴環境確認　（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※WEBセミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。
※講師の所属などは、収録当時のものをご案内しております。

得られる知識

・レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
・レジストを使用する際の留意事項
・リソグラフィープロセスについて
・素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
・レジスト材料（ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト）
・レジスト評価法について
・レジスト除去（剥離）技術について

セミナーリクエスト

セミナー講師

大阪公立大学　学長特別補佐
大学院工学研究科　物質化学生命系専攻　化学バイオ工学分野　高分子化学研究グループ　教授
博士(工学)　堀邊英夫　氏　【講師紹介】

[ご専門]
高分子物性（フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性）

WEBページ　https://www.omu.ac.jp/eng/polymer2021_lab/

セミナー趣旨

　半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。
レジスト剥離 (除去)技術については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。
　また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

セミナー講演内容

1．感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
　1.1 感光性レジストとは?
　1.2 リソグラフィーについて
　1.3 フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要

2．レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
　2.1 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
　2.2 レジストの基本原理
　2.3 レジストの現像特性

3．ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
　3.1 レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
　3.2 ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
　3.3 ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
　3.4 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
　3.5 ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係

4．化学増幅ポジ型レジストの材料設計
　4.1 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
　　・ベース樹脂
　　・溶解抑制剤
　　・酸発生剤
　4.2 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
　4.3 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
　4.4 EUVレジストへの展開
　4.5 i線厚膜レジストへの展開

5．環境に優しい新規なレジスト除去技術について
　5.1 活性種として水素ラジカルを用いた場合
　5.2 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
　5.3 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
　5.4 イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術

セミナーリクエスト

セミナーセミナー番号:O250560(【オンデマンド】レジスト材料設計/除去)

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セミナー講師

セミナー趣旨

セミナー講演内容

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