次世代パワー半導体とパワーデバイスの
結晶欠陥の特定、評価技術とその動向、課題
~ワイドギャップ半導体の結晶評価の各手法の原理と適用事例、範囲と課題~
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そして得た情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックするには
従来の半導体材料を凌駕する高電力密度、低損失、高温動作時の安定性などを持つ
4H-SiC、GaN、β-Ga₂O₃、AlN等のワイドギャップ化合物半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発を加速
動作中のデバイスの欠陥観察の最新の研究内容も解説
日時 | 【ライブ配信】 2025年7月24日(木) 10:30~16:30 |
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3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 24,200円 本体22,000円+税2,200円(1名あたり) ※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。 ※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
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配布資料 | PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、S&T会員のマイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日からダウンロード可となります。 | |||
オンライン配信 | ライブ配信(Zoom) ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) | |||
備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |||
得られる知識 | パワーデバイス用半導体結晶中の欠陥の評価技術を習得できる | |||
対象 | ワイドギャップパワー半導体の結晶成長と評価に携わる若手研究者・技術者 | |||
キーワード:パワーデバイス、結晶欠陥 |
セミナー講師
【講師紹介】
セミナー趣旨
本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、各手法の原理と適用事例について基礎から解説する。加えて、各評価技術の適用範囲や課題についても述べるとともに、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡(TEM)、多光子励起顕微鏡など、最新の評価手法に関する取り組みについて紹介する。
セミナー講演内容
1-1 パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
・カーボンニュートラルの産業イメージ
・パワーデバイスとは何か
・次世代のパワーデバイス ― ワイドギャップ半導体
1-2 結晶中の欠陥
・格子欠陥による「信頼性」の懸念
・欠陥の種類
1-3 欠陥評価手法とその適用範囲
2.結晶評価手法
2-1 選択性化学エッチング(エッチピット法)
・SiCのエッチピット形成と分類
・GaNのエッチピット形成と分類
・AlNのエッチピット形成と分類
・Ga2O2のエッチピット形成と分類
2-2 透過型電子顕微鏡
・SiCの転位同定
・GaNの刃状転位、らせん転位、と混合転位
2-3 多光子励起顕微鏡
2-4 X線回折とX線トポグラフィー
・放射光X線トポグラフィー(XRT)とは何か
・XRTの原理
・反射配置XRT
・透過XRT
2-5 その他の手法
3.最新の研究内容 動作中のデバイスの欠陥観察
質疑応答
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