B250675:CMP技術とその最適なプロセスを実現するための実践的総合知識 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B250675(CMP)

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【2名同時申込で1名無料】対象セミナー

テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー1名受講限定】半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

CMP技術と
その最適なプロセスを実現するための
実践的総合知識

～装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、応用プロセス、研磨メカニズム～

受講可能な形式：【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

CMP及び周辺の技術・材料・装置に携わる方々は是非
CMP工程の各種メカニズムの解明とスラリー、パッド、コンディショナー、、、消耗材の開発・評価のヒントを提示
研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して
最新配線構造、最新のトランジスタ構造、3DNAND、ウエハ接合、各種基板へのCMP応用技術
材料の研磨と除去、構造形成するための加工技術としての技術を解説
半導体等のデバイス製造において今やなくてはならないキープロセスの基礎と全貌

日時

【ライブ配信】 2025年6月25日（水） 10:30～16:30

【アーカイブ配信】 2025年7月11日（金）まで受付（視聴期間：7/11～7/25）

受講料(税込)

各種割引特典

55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体50,000円＋税5,000円

E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

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2名で55,5000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の27,500円)

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1名申込みの場合：受講料44,000円( E-Mail案内登録価格 42,020円)　
　定価：本体40,000円＋税4,000円
　E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
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3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 24,200円
　本体22,000円＋税2,200円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

■■■受講人数ごとのお申込み例■■■

1名で受講の場合：42,020円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合：55,000円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり27,500円(税込)
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4名で受講の場合：96,800円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合：121,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)

配布資料

PDFデータ（印刷可・編集不可）
※開催2日前を目安に、S＆T会員のマイページよりダウンロード可となります。
※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日からダウンロード可となります。

オンライン配信

ライブ配信（Zoom）　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

○CMPに関わるあらゆる基礎知識～
・装置技術、スラリー技術、パッド技術、コンディショナー技術
・材料・プロセス評価技術
・デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
○CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル

キーワード：CMP研磨パッド,スラリー,EPD,研磨ヘッド,FinFET,CuCMP,シリコンウエハ,サファイア,SiC

セミナーリクエスト

セミナー講師

株式会社ISTL　代表取締役社長　博士（工学）礒部晶　氏
元日本電気、元ニッタハース、元ディスコ
【講師紹介】

セミナー趣旨

　CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに30年以上が経過した。当初はゲテモノ扱いされていた CMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。各種基板研磨や新たな応用についても解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。

セミナー講演内容

1．CMP装置
　1.1 CMP装置の構成
　1.2 ヘッド構造
　1.3 終点検出技術
　1.4 APC
　1.5 洗浄

2．CMPによる平坦化
　2.1 CMPによる平坦化工程の分類
　2.2 平坦化メカニズム

3．CMP消耗材料
　3.1 各種スラリーの基礎
　3.2 砥粒の変遷
　3.3 添加剤の役割
　3.4 スラリーの評価方法
　3.5 研磨パッドの基礎
　3.6 研磨パッドの評価方法
　3.7 コンディショナーの役割

4．CMPの応用
　4.1 最新配線構造とCMPの詳細
　4.2 最新のトランジスタ構造とCMP
　4.3 3DNANDにおけるCMP
　4.4 ウエハ接合技術とCMP
　4.5 各種基板CMP

5．CMPの材料除去メカニズム
　5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
　5.2 新しいモデル～Feret径モデル
　5.3 Feret径モデルの数値検証
　5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント
　5.5 研磨対象別材料除去メカニズム

まとめ

質疑応答

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セミナーセミナー番号:B250675(CMP)

CMP技術とその最適なプロセスを実現するための実践的総合知識

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