セミナー 印刷

EUVリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発動向

~EUVリソグラフィの各要素技術、メタルレジスト・ブロック共重合体等の微細加工材料~

受講可能な形式:【ライブ配信】のみ
日時 2027年1月28日(木)  13:00~17:00
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須/1名あたり定価半額24,750円)
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
 3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 22,000円
 本体20,000円+税2,000円(1名あたり)
 ※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
 ※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
 ※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
 
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合: 受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
 定価:本体36,000円+税3,600円
 E-Mail案内登録価格:本体34,400円+税3,440円
  ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
  ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
  ※他の割引は併用できません。
 
 ■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
 1名で受講の場合:37,840円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
 2名で受講の場合:49,500円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料:1名あたり24,750円(税込)
 3名で受講の場合:66,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
 4名で受講の場合:88,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
 5名で受講の場合:110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
配布資料・PDFテキスト(印刷不可・編集不可)
 ※開催2日前からを目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
オンライン配信Zoomによるライブ配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)
備考※講義の録音・録画・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
得られる知識・EUVリソグラフィの技術動向
・レジスト材料開発
・半導体の微細化と極端紫外線(EUV)の基礎について
・EUV化学増幅型レジストシステムと反応機構について
・EUVレジスト開発動向
・メタルレジストの反応メカニズム、材料・プロセス評価
・ブロック共重合体による自己組織化リソグラフィについて
対象・EUVリソグラフィ研究開発に携わる方。
・微細加工関係の研究開発に携わる方。
・レジストおよびブロック共重合体材料開発に携わる方。
・化学や物理化学の基礎知識を有することが望ましいが、必須ではない。

セミナー講師

(国研)量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所
先端機能材料研究部 プロジェクトリーダー(上席研究員) 山本 洋揮 氏


[その他 肩書・活動等]
 大阪大学産業科学研究所 招聘教授
 群馬大学理工学府  客員教授

セミナー趣旨

 コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において3次元微細加工技術と並んで極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NAEUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が検討されている。
 本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、近年活発に研究開発がなされている次世代EUVリソグラフィ技術におけるそれぞれの原理、技術動向、他のリソグラフィ技術と比較した際の優位点をはじめ、実用化・普及の可能性、その微細加工材料などに関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。

セミナー講演内容

1.はじめに
 1.1 リソグラフィ技術の変遷
 1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
 1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
 1.4 EUVリソグラフィ技術の動向
 
2.EUV/EBリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
 2.1 EUVリソグラフィの基礎
 2.2 EUVリソグラフィの現状と課題/電子ビームリソグラフィの位置づけ
 2.3 EUV/EBレジスト
  2.3.1 EUV/EBレジストの種類
  2.3.2 EUV/EB化学増幅型レジストの酸発生機構
  2.3.3 ラインエッジラフネス(LER)の原因の解明
  2.3.4 反応機構に基づいたEUV/EBリソグラフィ用単一成分化学増幅型レジスト
  2.3.5 EUVとEBレジスト設計指針との違い
  2.3.6 EUVリソグラフィ用レジスト化学増幅型レジスト材料の要求特性と問題点
 
3. メタルレジスト材料の開発動向
 3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
 3.2 EUVメタルレジスト開発例
 3.3 ドライレジスト
 3.4 メタルレジストの性能評価
  3.4.1 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
  3.4.2 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
  3.4.3 メタルレジスト材料の性能評価
  3.4.4  無機レジストの性能評価
 3.5 次世代EUVリソグラフィ(High-NA、Hyper NA、EUV-FEL、Beyond EUV)の技術動向と今後の展望
 
4.ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向
 4.1 ブロック共重合体の基礎
 4.2 電子線誘起反応によるブロック共重合体のラメラ配向制御
 4.3 新規ブロック共重合体の合成と評価
 4.4 ブロック共重合体のメタライゼーション

5.おわりに

□ 質疑応答 □