ダイヤモンド半導体デバイスの
研究開発動向と課題・展望
ダイヤモンドの物性・ポテンシャル、ダイヤモンドウェハの製造技術、
トランジスタ・ダイオードおよびその他デバイスへの応用など。
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その物性や可能性、成長技術や研磨などのダイヤモンドウェハの製造技術、各デバイス応用、実用化への課題・展望などについて解説します。
日時 | 2024年9月27日(金) 13:00~16:30 |
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受講料(税込)
各種割引特典
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49,500円
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配布資料 | 製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定) ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、 セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承ください。 Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。 | |
オンライン配信 | ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) | |
備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※9月12日の12:00までに、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
得られる知識 | ・ダイヤモンドの物性 ・ダイヤモンド半導体研究の歴史 ・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題 | |
対象 | ・ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方 ・ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方 |
セミナー趣旨
本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果(例:世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等)を中心に解説します。
セミナー講演内容
1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史
2.ダイヤモンドウェハ製造技術
2.1 成長技術(高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD)
2.2 不純物ドーピング技術
2.3 スライス・カット技術
2.4 研磨技術
3.ダイヤモンドダイオード
3.1 ショットキーバリアダイオード
3.2 PN接合ダイオード
3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)
4.ダイヤモンドトランジスタ
4.1 MESFET
4.2 JFET
4.3 BJT
4.4 MOSFET
5.その他のダイヤモンド半導体のデバイス応用
5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
5.3 ダイヤモンド電気化学電極
6.まとめと今後の展開
□ 質疑応答 □
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