B260902:微細Cu配線・Low‑k材料・BS‑PDNに見る先端多層配線技術 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B260902(多層配線)

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微細Cu配線・Low‑k材料・BS‑PDNに見る
先端多層配線技術

～Cu代替材料・ナノカーボン・Air-Gap・PowerViaまで徹底解説～
～「多層配線/2.5D・3Dデバイス」2日間セミナー1日目～

　AI、5G、自動運転などの進展により、先端半導体では多層配線の微細化・高密度化・低消費電力化が強く求められています。
　本セミナーでは、多層配線技術の進化の歴史を振り返りながら、Cuダマシン配線、Low-k絶縁膜、Air-Gap技術、BS-PDN（裏面電源供給）などの最新技術動向を解説します。さらに、Co・RuなどのポストCu材料やCNT・グラフェンなどのナノカーボン材料の可能性にも触れ、次世代半導体を支える配線技術の全体像を学びます。

　本ページは9/2,9/9「多層配線/2.5D・3Dデバイス」2日間セミナー 1日目のみの申込みページです。
　　※2日間セミナーの詳細：申し込みはこちら※
　　　9月2日(水)・9月9日(水)「先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化【2日間セミナー】」

日時

【ライブ配信】 2026年9月2日（水） 13:00～17:00

受講料(税込)

各種割引特典

49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体45,000円＋税4,500円

E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件

2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の24,750円)

テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込み：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
　定価：本体36,000円＋税3,600円
　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
　　※他の割引は併用できません。

配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信

Zoomによるライブ配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナーリクエスト

セミナー講師

名古屋大学　未来社会創造機構　客員教授兼技術コンサルタント(半導体分野)
元 (株)東芝　研究開発センター　首席技監
柴田英毅氏

【専門】
　半導体デバイス・プロセス技術／半導体集積回路技術／多層配線形成技術／三次元デバイス集積化技術
　MEMS技術／光伝送技術／材料強度学／金属疲労学固体物理学／薄膜材料物性学
【所属学会・業界での活動】
　JEITA STRJ (半導体技術ロードマップ専門委員会) 配線WG委員長
　ITRS国際半導体技術Roadmap Interconnect-TWG(Co-Chair)
　Selete研究運営委員及び先端コアBEPプログラム委員
　半導体MIRAIプロジェクト/Selete-NSI (Nano. Silicon Integration) 技術委員
　応用物理学会集積化MEMS技術研究会副委員長
　SSDM組織委員、SIRIJ業界戦略委員、COCN(産業競争力懇談会)Proj.S委員会委員
　内閣府FIRST/ImPACT/SIPの東芝側実用化・事業化責任者、他多数
【著書、論文、特許】
　・ロジックLSI技術の革新(培風館)
　・半導体プロセス技術(培風館)
　・応用物理ハンドブック(丸善)
　・Cu配線技術の最新の展開(サイペック)
　・異種機能デバイス集積化技術の基礎と応用(シーエムシー出版)
　・審査付き学術論文及び主要国際学会での論文発表：計91件
　・国内学会・セミナー・学術専門委員会等での講演：計70回
　・登録特許数：計73件
【受賞歴】
　日刊工業新聞社十大新製品賞
　IEEE IITC2005 Best Paper Award受賞
　IMAPS2009 Best Paper Award受賞
　ADMETA2009 Best Paper Award受賞
　ADMETA2012 Best Paper Award、Technical Achievement Award受賞
　社長特別表彰 (功績賞)
　電気学会センサ・マイクロマシン部門「優秀技術論文賞」

セミナー講演内容

【「多層配線/2.5D・3Dデバイス2日間」2日間セミナー 1日目：2026年9月2日(水) 13:00～17:00】
　　　　　▼2日間セミナーの詳細：申し込みはこちら▼
　　　　　　9月2日(水)・9月9日(水)「先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化【2日間セミナー】」

１．多層配線技術の役割とスケーリング，材料・構造・プロセスの変遷
　　1.1 多層配線の役割と要求，階層構造，フロアプランの実例
　　1.2 配線長分布と配線階層(Local, Intermediate,(Semi-)Global)毎のRC寄与度の違い
　　1.3 下層(Local)・中層(Intermediate)及び上層((Semi-)Global)配線のスケーリング理論
　　1.4 多層配線技術の進化の足跡
　　1.5 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷

２．微細Cuダマシン配線技術及びPost-Cu配線形成技術の基礎～最新動向
　　2.1 配線プロセスの変遷(Al-RIE⇒Cuダマシン)
　　2.2 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
　　2.3 Cu酸化拡散防止膜(バリアメタル)の要件と材料候補(Ta(N),Ti(N),Nb(N),W(N))
　　2.4 Ta(N)の課題(対Cu濡れ性,対酸化性)とTi(N)の優位性
　　2.5 バリアメタル及びSeedスパッタ法の変遷と課題
　　2.6 CVD-Ru，Co, RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
　　2.7 Mnを利用した超薄膜バリア(MnSixOy)自己形成技術
　　2.8 Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法, Cuリフロー法, MOCVD法との比較, Additiveの重要性，役割，選定手法
　　2.9 CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類，適用工程の拡大
　　2.10 Cu-CMにおける低機械強度Low-k対応施策(低荷重, 複合粒子スラリー, Pad表面改質)
　　2.11 Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
　　2.12 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
　　2.13 W，Co，Ru，Mo，Ni, Al2Cu, NiAl, CuMgなどの最新開発動向から見た有力候補
　　2.14 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
　　2.15 多層CNT(MWCNT)によるViaホールへの埋め込みと課題
　　2.16 多層グラフェン(MLG)による微細配線形成と低抵抗化検討結果

３．低誘電率(Low-k/Air-Gap)絶縁膜形成技術の基礎～最新動向
　　3.1 Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
　　3.2 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
　　3.3 ITRS(国際半導体技術ロードマップ委員会)Low-kロードマップの課題と大改訂
　　3.4 比誘電率(k)低減化の手法と材料候補(SiOF, MSQ/SiOC, PAr, BCBなど)
　　3.5 層間絶縁膜(ILD)構造の比較検討(Monolithic vs. Hybrid)
　　3.6 材料物性から見たLow-k材料の課題(低機械強度, 低プラズマダメージ耐性など)
　　3.7 Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
　　3.8 Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
　　3.9 Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
　　3.10 Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解

4．ウエハ裏面への電源供給配線網(BS-PDN, PowerVia, SPR)の形成技術の最新動向
　　4.1ウエハ裏面への電源供給配線網(BS-PDN)形成の経緯・背景と特徴、課題
　　4.2 埋め込み電源線(BPR)と裏面の電源供給配線網(BS-PDN)の接続形態と構造
　　4.3 BS-PDNを形成するための貼合プロセス例と接続断面構造
　　4.4 BS-PDNにおける回路ブロック面積及びIRドロップの低減効果
　　4.5 IntelによるPoweViaの概要と特徴, テストチップの評価結果、20A世代からの採用計画
　　4.6 TSMCもA16世代からSPRを採用へ、Samsungも2nm世代(SF2Z)からBSPDNを採用へ

　□ 質疑応答 □

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セミナーセミナー番号:B260902(多層配線)

微細Cu配線・Low‑k材料・BS‑PDNに見る先端多層配線技術

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電磁界シミュレーション技術入門
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食品事故・異物混入を防ぐ品質管理と工場監査の実践ポイント NEW
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電子機器の故障メカニズムの実態理解と未然防止・故障解析の実務【2日間セミナー】
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次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～
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【オンデマンド配信】スパッタリング法の総合知識と薄膜の特性制御・改善、品質トラブルへの対策 NEW
【オンデマンド配信】※会社・自宅にいながら学習可能です※

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先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化【2日間セミナー】 NEW
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HBM・チップレット時代の3D積層技術と先進パッケージの最新動向 NEW
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製造条件・使用環境の変動に耐えうる最適設計仕様を導く非線形ロバストデザイン
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光導波路の基礎と集積化技術 NEW
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上手な撹拌のための基礎知識と実務で役立つ撹拌不良対策
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市場クレームとその影響、対応コストを考慮した損失関数による安全係数・検査基準・規格値の決定法
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半導体デバイス製造を支えるCMP技術の開発動向
～微細化・高集積化・難加工基板への対応で重要性が増すCMP技術の進展～

匂い・香りの科学と評価・可視化・応用技術
～センシング技術の進展と呼気ガス分析・香り再現・演出等への展開～

車載用LiDARの市場・技術トレンド
～急速な成長を見せる車載LiDAR市場と採用・搭載レイアウト例、要素技術と低コスト化の進展、主要企業の製品動向まで～

光半導体とそのパッケージング・封止技術
～LED,レーザ,フォトダイオード,光ICなど、光半導体の種類・原理・用途から
　封止・材料技術、ディスプレイや高速通信など先端応用に関わる開発課題まで～

環境発電・エネルギーハーベスティング技術―デバイス開発と応用展開―
～各種発電技術の仕組み・特徴、市場動向、先進的なデバイス・応用開発事例まで～