B260866:次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～ | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B260866(パワーデバイス)

エレクトロニクス | 化学・材料

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テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー1名受講限定】半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

次世代パワーデバイス開発の最前線
～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と産業構造の変化

受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】or【アーカイブ配信】のみ

次世代パワーデバイス開発の全体像を、材料別に整理・比較。
技術・市場・業界再編から将来展望までを一挙解説！

　パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特徴、技術的優位性、量産化課題、最新の開発動向を詳細に解説します。
　また、日本のパワーデバイス産業が直面する競争環境や業界再編の動きにも触れながら、今後の技術・市場の方向性を展望します。初学者にもわかりやすい構成で、研究・開発・事業企画に役立つ内容です。

日時

【ライブ配信(見逃し配信付)】 2026年8月26日（水） 13:00～16:30

【アーカイブ配信】 2026年9月11日（金）まで申込み受付（視聴期間：9/11～9/29）

受講料(税込)

各種割引特典

49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体45,000円＋税4,500円

E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

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2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の24,750円)

テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込み：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
　定価：本体36,000円＋税3,600円
　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
　　※他の割引は併用できません。

【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 22,000円
　本体20,000円＋税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

■■■受講人数ごとのお申込み例■■■

1名で受講の場合：37,840円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合：49,500円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合：66,000円(税込) 　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合：88,000円(税込)　 ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合：110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)

特典

ライブ配信受講者特典のご案内
ライブ配信受講者には、特典（無料）として「見逃し配信」の閲覧権が付与されます。
オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。
　(開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます）

見逃し配信視聴期間：［8/27～9/2中］を予定
　※見逃し配信は原則として編集は行いません
　※ライブ配信を欠席しアーカイブ視聴のみの受講も可能です。

配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日(9/11)からダウンロード可となります。

オンライン配信

Zoomによるライブ配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
・パワーデバイスによる電力変換と用途
・Siパワーデバイスの高性能化の歴史
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の復活

対象

パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
※初心者の受講でも問題ない

セミナーリクエスト

セミナー講師

グリーンパワー山本研究所　所長　山本秀和　氏　

専門 : 半導体デバイス、半導体結晶
経歴：元千葉工業大学教授
　　　元三菱電機パワーデバイス開発部長
【講師詳細はこちら】

セミナー趣旨

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、本格的な量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、Siを含めて日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望について、分かりやすく解説します。日本のパワーデバイスメーカでは、パワーデバイスの復活をかけた再編が開始されつつあります。この取り組みについても、見解を述べます。

セミナー講演内容

１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
　1.1　パワーエレクトロニクスの重要性
　1.2　パワーデバイスの用途と産業構造

２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
　2.1　パワーデバイスの構造と要求性能
　2.2　Siパワーデバイスの高性能化

３．SiCパワーデバイスの優位性と課題
　3.1　SiCパワーデバイスの優位性
　3.2　SiCパワーデバイスの課題

４．GaNパワーデバイスの優位性と課題
　4.1　GaNパワーデバイスの優位性
　4.2　GaNパワーデバイスの課題

５．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
　5.1　Ga2O3パワーデバイスの優位性
　5.2　Ga2O3パワーデバイスの課題

６．パワーデバイスの将来展望
　6.1　パワーデバイス業界の動向
　6.2　復活をかけた日本のパワーデバイス業界の再編

□質疑応答□

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セミナーセミナー番号:B260866(パワーデバイス)

次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

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