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次世代パワー半導体とパワーデバイスの
結晶欠陥評価技術

~ワイドギャップ半導体の結晶評価の各手法の原理と適用事例、範囲と課題~

受講可能な形式:【ライブ配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク 

デバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因であるキラー欠陥の分布や種類を正確にとらえる
そして得た情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックするには

従来の半導体材料を凌駕する高電力密度、低損失、高温動作時の安定性などを持つ
 4H-SiC、GaN、β-Ga₂O₃、AlN等のワイドギャップ化合物半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発を加速

動作中のデバイスの欠陥観察の最新の研究内容も解説
日時 【ライブ配信】 2026年7月29日(水)  10:30~16:30
受講料(税込)
各種割引特典
定価:本体50,000円+税5,000円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の27,500円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込みの場合:受講料44,000円( E-Mail案内登録価格 42,020円) 
 定価:本体40,000円+税4,000円
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※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
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【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 24,200円
 本体22,000円+税2,200円(1名あたり)
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4名で受講の場合:96,800円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合:121,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
配布資料PDFデータ(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、S&T会員のマイページよりダウンロード可となります。
※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日からダウンロード可となります。
オンライン配信ライブ配信(Zoom) ►受講方法・接続確認申込み前に必ずご確認ください
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
得られる知識パワーデバイス用半導体結晶中の欠陥の評価技術を習得できる
対象ワイドギャップパワー半導体の結晶成長と評価に携わる若手研究者・技術者
キーワード:パワーデバイス、結晶欠陥

セミナー講師

三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター 教授 博士(工学) 姚 永昭 氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

 4H-SiC、GaN、β-Ga2O3、AlNにに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度、低損失、高温動作時の安定性など、従来の半導体材料を凌駕する特性を有しており、近年、これらを用いた次世代パワーデバイスの研究開発が急速に進展している。しかし、これらの材料は強い共有結合を持つため結晶成長が難しく、成長後の結晶中には転位などの格子欠陥が高密度で存在する。一部の格子欠陥はデバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因(いわゆるキラー欠陥)となるため、欠陥の分布や種類を正確に把握し、それらの情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックすることが極めて重要である。
 本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、各手法の原理と適用事例について基礎から解説する。加えて、各評価技術の適用範囲や課題についても述べるとともに、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡(TEM)、多光子励起顕微鏡など、最新の評価手法に関する取り組みについて紹介する。

セミナー講演内容

1.はじめに
 1-1 パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
 1-2 結晶中の欠陥
 1-3 欠陥評価手法とその適用範囲

2.結晶評価手法
 2-1 選択性化学エッチング(エッチピット法)
  2-1-1 SiCの溶融KOH+Na2O2エッチング
  2-1-2 GaNのエッチピットおよびTEMによる検証
  2-1-3 Ga2O3のKOH+NaOH共晶エッチングと熱リン酸処理
 2-2 透過型電子顕微鏡
  2-2-1 gb解析による転位バーガースベクトルの判定
  2-2-2 LACBED法
 2-3 多光子励起顕微鏡
  2-3-1 多光子励起顕微鏡の原理
  2-3-2 GaN結晶中の転位の多光子励起顕微鏡観察と3D可視化
 2-4 X線回折とX線トポグラフィー
  2-4-1 X線回折
  2-4-2 X線トポグラフィーの原理
  2-4-3 反射配置と透過配置
  2-4-4 SiCのX線トポグラフィーの評価例
  2-4-5 GaNのX線トポグラフィーの評価例
  2-4-6 Ga2O3のX線トポグラフィーの評価例
  2-4-7 AlNのX線トポグラフィーの評価例
 2-5 その他の手法

3.最新の研究内容
 3-1 異常透過および転位の動力学コントラスト
 3-2 X線トポグラフィーを用いたデバイスの評価
 3-3 結晶中欠陥の三次元可視化

質疑応答