Z260645:光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価【ライブ配信】 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:Z260645(半導体欠陥評価)

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光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価
【ライブ配信】

受講可能な形式：【ライブ配信】のみ

”デバイス特性を左右する欠陥準位を、正しく評価できていますか？”
バンドギャップが大きくなるほど評価困難になる欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法について、従来の評価技術と比較しながら測定原理から応用例までわかりやすく解説します。

日時	2026年6月25日（木） 13:00～16:30
受講料(税込) 各種割引特典	49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,200円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について定価：本体45,000円＋税4,500円 E-Mail案内登録価格：本体42,000円＋税4,200円
	※サイエンス＆テクノロジーが設定しているアカデミー価格対象外のセミナーです。 ※サイエンス＆テクノロジーが設定しているキャンセル規定対象外のセミナーです。 ※ E-mail案内登録価格申込者には主催者のR&D支援センターからも無料でセミナー等の案内をお送り致します。
	E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件 1名分無料適用条件 ※2名様とも案内登録をしていただいた場合に限ります。 ※主催者のR&D支援センターからも無料でセミナー等の案内をお送り致します。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※他の割引は併用できません。 2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円)
主催	(株)R&D支援センター
配布資料	・資料付（PDFデータでの配布）※紙媒体での配布はございません。　無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
オンライン配信	・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】１）Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードして下さい。　　ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。　　Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧ください。３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。　　当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加下さい
得られる知識	次世代パワー半導体の結晶成長･デバイス開発には様々な課題があるが、欠陥準位に関してはバンドギャップが大きくなるほど評価困難になり、光を用いた欠陥準位評価法が必要となる。その欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法を習得できる。
対象	次世代パワー半導体として期待されるワイドギャップ半導体の研究開発において欠陥準位評価に関心のある若手技術者の方 [予備知識] 特に予備知識は必要ありません。従来の評価技術と比較しながら、測定原理から応用例まで解説します。

セミナーリクエスト

セミナー講師

中部大学電気電子システム工学科教授博士（工学）中野由崇氏
[専門]
　半導体工学欠陥準位
[経歴]
1991年4月 (株)豊田中央研究所　入社
　・デバイス部にて車載用Siパワーデバイスの局所ライフタイム制御技術の開発、GaNパワーデバイスの要素技術の開発
　・特別研究室にて可視光応答型光触媒の開発
2008月1月中部大学に転籍
2024年7月－ NEDO 経済安全保障重要技術育成プログラム「β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発」にて
　　　　　　 β-Ga2O3ウエハ欠陥検査技術の開発に従事

セミナー趣旨

　ワイドギャップ半導体は高耐電圧・低損失・高温動作といった優れた物性から、Siを超える省エネルギー型パワーデバイス材料として期待されている。特に窒化物半導体では、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスを利用した高周波パワーデバイスが実用段階に達しているが、さらなる性能向上にはヘテロ構造中に残存する欠陥準位の理解が重要である。一方、酸化ガリウム（β‑Ga₂O₃）はGaNやSiCを上回る物性値を持つ次世代パワー半導体として注目され、融液成長による基板の大口径化やデバイス化が進むものの、デバイス特性に直結する欠陥準位の知見は依然として乏しい。本セミナーでは、GaNやβ‑Ga₂O₃などのGa系ワイドギャップ半導体における欠陥準位評価手法として光容量分光法(SSPC)の原理を解説し、AlGaN/GaNヘテロ構造やβ‑Ga₂O₃に存在する欠陥準位の評価事例を紹介する。

セミナー講演内容

1．光容量分光法(SSPC)の測定原理と特徴
　1-1．DLTS法の測定原理
　1-2．光容量分光法(SSPC)の測定原理
　1-3．SSPC微分解析による熱的準位と格子緩和の抽出

2．GaNへの適用例
　2-1．AlGaN/GaNヘテロ構造に存在する欠陥準位
　2-2．p-GaNホモエピ膜に存在する欠陥準位

3．β‑Ga₂O₃への適用例
　3-1．EFG単結晶基板に存在する欠陥準位
　3-2．HVPEホモエピ膜に存在する欠陥準位

[スケジュール]
13:00～14:30 ご講義
14:30～14:45 小休憩
14:45～16:15 ご講義
16:15～16:30 質疑応答
上記は目安です。進行状況などにより前後する可能性があります。

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セミナーセミナー番号:Z260645(半導体欠陥評価)

光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価【ライブ配信】

1名分無料適用条件

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セミナー趣旨

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