B260744:2nm世代以降の先端半導体配線技術の最新動向 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B260744(半導体配線)

エレクトロニクス | 化学・材料

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【 2 名同時申込で 1 名無料】対象セミナー

テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー１名受講限定】半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

2nm世代以降の先端半導体配線技術の最新動向

Cu/Low-k配線の限界、Cu延命技術、Ru/Airgap・代替材料、
信頼性課題、裏面電源配線（BSPDN）

受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】のみ

Cu/Low-k配線プロセスとその課題、信頼性評価の基礎から、2nmノード以降に向けた先端配線の課題、Cu配線延命技術、RuやMoなどのCu代替配線材料、Ru/Airgap構造、裏面電源配線、3D集積まで、従来のCu/Low-k配線の限界を突破する2nm世代以降を見据えた先端配線の新材料・新構造・新プロセスの最新研究開発動向を解説します。

日時

2026年7月24日（金） 13:00～16:30

受講料(税込)

各種割引特典

49,500円 S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体45,000円＋税4,500円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件

2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／1名あたり定価半額24,750円)

【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 22,000円
　本体20,000円＋税2,000円(1名あたり)
　※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
　※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
　※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込みの場合：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
　定価：本体36,000円＋税3,600円
　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
　　※他の割引は併用できません。

　■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
　1名で受講の場合：37,840円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
　2名で受講の場合：49,500円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり24,750円(税込)
　3名で受講の場合：66,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
　4名で受講の場合：88,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
　5名で受講の場合：110,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)

特典

■ライブ受講に加えて、見逃し配信でも１週間視聴できます■
【見逃し配信の視聴期間】2026年7月27日(月)～8月2日(日)まで
※このセミナーは見逃し配信付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
※ライブ配信を欠席し見逃し視聴のみの受講も可能です。
※動画は未編集のものになります。
※視聴ページは、開催翌営業日の午前中には、マイページにリンクを設定する予定です。

配布資料

製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
　開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
　Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。

オンライン配信

Zoomによるライブ配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

・集積回路配線の技術トレンド
・現状のCu/Low-k配線の製造工程や信頼性評価の基礎（EM, SIV, TDDBなど）
・2nmノード以降に向けた先端配線の課題とCu、Wに代わるRuやMoなど新材料の研究開発動向

対象

・集積回路配線の製造工程、信頼性など開発の要点を学びたい方
・2nmノード以降に向けた配線の課題、Cu/Low-k配線の延命、代替配線の研究開発動向、見通しを知りたい方
・配線の基礎から説明するので配線に関する予備知識は特に必要なし

セミナーリクエスト

セミナー講師

芝浦工業大学　名誉教授　工学博士　上野和良　氏

専門：集積回路配線プロセス
1984―2006：NEC、NECエレクトロニクスで半導体デバイス、集積回路配線の研究開発（Cu配線プロセスと高信頼化）
2006ー2025：芝浦工業大学教授（ナノエレクトロニクス研究室）、次世代配線材料プロセスの研究（グラフェンの配線・RFデバイス応用など）
2025―現在：2nm以降の配線技術研究

セミナー趣旨

　近年、AIの急速な進展と応用の拡がりによって、それを支える先端半導体が世界的に注目されている。先端半導体では、さらなる集積度の向上が求められているが、2nm世代以降の微細配線では、従来のCu/Low-k配線による限界が見え始め、Ru/Airgapなどの新材料/新構造、裏面配線等の研究開発が盛んに行われている。
　本セミナーでは、現在使われているCu/Low-k配線の基礎から、2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造や新プロセスの最新研究開発動向を解説する。

セミナー講演内容

１．集積回路配線の基礎知識
　1.1 配線の微細化と3D化が求められる背景
　1.2 配線の役割と性能指標
　　1.2.1 配線の役割
　　1.2.2 階層化された多層配線構造
　　1.2.3 配線の性能指標
　　1.2.4 各配線層の役割に応じた要求性能
　1.3 配線信頼性の基礎知識
　　1.3.1 微細化に伴う配線信頼性の重要性
　　1.3.2 デバイスの故障と信頼性予測の手順
　　1.3.3 エレクトロマイグレーション（EM）
　　1.3.4 ストレス誘起ボイド（SIV）
　　1.3.5 TDDB
　　1.3.6 耐湿信頼性
　1.4 Cu/Low-k配線プロセス
　　1.4.1 Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
　　1.4.2 Low-k絶縁膜と課題
　　1.4.3 ダマシン法に用いる要素プロセス（バリア・ライナ、めっき、リフロー、CMP）

２．2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
　2.1 2nm以降半導体に向けた配線の課題
　　2.1.1 新材料への切り替え時期予測とロードマップ
　　2.1.2 2nm以降の微細パターンの形成方法（Self-Aligned Double Patterning）
　2.2 Cu配線の延命
　　2.2.1 Advanced Low-k膜（高プラズマ耐性Low-k膜）
　　2.2.2 バリア/ライナーの薄膜化
　　2.2.3 Cu埋め込み法の改善
　　2.2.4 グラフェンキャップによる改善
　　2.2.5 ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
　2.3 Cu代替配線配線材料
　　2.3.1 代替配線材料の選択基準
　　2.3.2 代替配線材料をしぼり込む流れ
　　2.3.3 ルテニウム/エアギャップ配線(Ru/AG)
　　2.3.4 モリブデン
　　2.3.5 グラフェン
　　2.3.6 その他の代替配線材料
　2.4 2nm以降の配線信頼性
　　2.4.1 Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
　　2.4.2 Ru/AG配線のTDDB信頼性
　2.5 新構造とプロセス
　　2.5.1 配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
　　2.5.2 裏面電源配線（Backside Power Delivery Network）と3D集積

　□質疑応答□

セミナーリクエスト

セミナーセミナー番号:B260744(半導体配線)

2nm世代以降の先端半導体配線技術の最新動向

1名分無料適用条件

セミナー講師

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