B261046:酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B261046(酸化物半導体)

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【 2 名同時申込で 1 名無料】対象セミナー

テレワーク応援キャンペーン【オンラインセミナー1名受講限定】半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

酸化物半導体の基礎と
三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向

～酸化物半導体の材料・プロセス・デバイス特性（薄膜形成・トランジスタ形成技術）～
～三次元集積化技術（3Dメモリデバイス、DRAM、NAND）への展開～

受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】のみ

★見逃し配信のみの視聴も可能です（視聴期間：10/19～10/26）　

　酸化物半導体は IGZOの実用化をはじめ、低温形成・高移動度・透明性・低リーク電流といった特長から、モノリシック3D集積化や三次元DRAM・NAND など、三次元集積デバイス応用へ注目が集まっており、研究開発が急速に進展しています。
　本セミナーでは、酸化物半導体の材料物性・プロセス技術・デバイス特性の基礎を整理しながら、三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説します。

■得られる知識■
　・酸化物半導体の材料物性、プロセス技術、デバイス技術に関する基礎　
　・三次元集積デバイス応用に向けた最近の酸化物半導体デバイスの研究開発動向

キーワード：酸化物半導体、三次元集積、メモリ

日時

【ライブ配信(見逃し配信付)】 2026年10月16日（金） 13:00～16:30

受講料(税込)

各種割引特典

49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体45,000円＋税4,500円

E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件

2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の24,750円)

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1名申込み：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
　定価：本体36,000円＋税3,600円
　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
　　※他の割引は併用できません。

【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 22,000円
　本体20,000円＋税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

■■■受講人数ごとのお申込み例■■■

1名で受講の場合：37,840円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合：49,500円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合：66,000円(税込) 　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合：88,000円(税込)　 ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合：110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)

特典

ライブ配信受講者特典のご案内
ライブ配信受講者には、特典（無料）として「見逃し配信」の閲覧権が付与されます。
オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。
　(開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます）

見逃し配信視聴期間：［10/19～10/26中］を予定
　※見逃し配信は原則として編集は行いません
　※ライブ配信を欠席し見逃し配信視聴のみの受講も可能です。

配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信

Zoomによるライブ配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

対象

半導体の材料・プロセス・デバイスのいずれかに関する一般的な基礎知識を有していることが望ましい。

セミナーリクエスト

セミナー講師

東京大学　生産技術研究所　教授　Ph.D（電子工学）　小林正治　氏

【ご経歴】
2010年　米国スタンフォード大学博士課程修了
2010年-2014年　米国IBMワトソン研究所プロパー研究員
2014年-2019年　東京大学生産技術研究所准教授
2019年-2025年　東京大学大学院工学系研究科附属d.lab 准教授
2025年より　東京大学生産技術研究所　教授

【ご専門】集積ナノエレクトロニクス
【WebSite】https://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/

セミナー趣旨

　IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用が期待されおり、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体の基礎を解説するとともに、最近の三次元デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。

セミナー講演内容

１．背景
・酸化物半導体のニーズ
　 -なぜ酸化物半導体か？

２．酸化物半導体の基礎
・酸化物半導体の材料物性
　　-シリコンと何が違うか？
・酸化物半導体のプロセス技術
　　-薄膜形成技術、
　　-トランジスタ形成技術
・酸化物半導体のデバイス技術
　　-トランジスタの性能
　　-トランジスタの信頼性

３．三次元集積デバイス応用の研究開発動向
・集積デバイスの現状
　　-シリコンの限界
・モノリシック三次元集積技術
　　-混載メモリ
・三次元構造メモリデバイス
　　-三次元DRAM
　　-三次元NAND

４．まとめ

　□質疑応答□

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セミナーセミナー番号:B261046(酸化物半導体)

酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向

1名分無料適用条件

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