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セミナーセミナー番号:A250620(SiC結晶)

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パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

～SiC結晶、欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法～

受講可能な形式：【ライブ配信】のみ
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SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法、、、、
「欠陥」が発生するメカニズム、SiCウェハの欠陥評価法を理解し、高品質な結晶成長の実現へ

日時

【ライブ配信】 2025年6月20日（金） 13:00～16:30

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配布資料

製本資料（開催日の4、5日前に発送予定)）
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　到着が間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。

オンライン配信

ライブ配信（Zoom）　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識とその評価手法を理解することができる

対象

SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えられている方

キーワード：SiC、結晶成長、結晶欠陥、転位、X線トポグラフィ、偏光観察

セミナーリクエスト

セミナー講師

名古屋大学　未来材料・システム研究所　附属未来エレクトロニクス集積研究センター　未来デバイス部
准教授　博士（工学）　原田俊太　氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

　SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
　本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

セミナー講演内容

はじめに
　1．SiCパワーデバイスと高品質SiC結晶基板の重要性
　2．SiC基板の社会実装の進展と今後の課題
　3．SiC基板の供給状況と技術的課題

SiCの基礎
　4．SiCの結晶構造と多形
　5．六方晶の結晶方位（四指数法）
　6．結晶多形（Polytype）の解説
　7．Si面とC面

SiC結晶の成長法
　8．昇華法
　9．CVD法
　10．溶液法
　11．各成長法の利点・課題と欠陥発生メカニズム

結晶欠陥の基礎
　12．結晶欠陥の種類（0次元から3次元）
　13．SiC特有の結晶欠陥の基礎（マイクロパイプ・転位・積層欠陥）
　14．結晶欠陥の観察例と観察法
　15．結晶欠陥がデバイス性能に与える影響

結晶欠陥の評価技術
　16．X線トポグラフィ法
　17．フォトルミネッセンス法
　18．偏光顕微鏡法
　19．KOHエッチング法
　20．透過電子顕微鏡法
　21．評価手法ごとの特徴・適用範囲の整理

マルチモーダル解析
　22．結晶欠陥のマルチモーダル解析
　23．欠陥自動検出アルゴリズム（画像処理・機械学習活用）

結晶欠陥制御技術の実例と応用
　24．結晶成長過程における欠陥低減技術（RAF法、溶液法など）
　25．基底面転位（BPD）とバイポーラ劣化のメカニズムおよび抑制技術（CVD法含む）
　26．低抵抗SiC基板における積層欠陥形成と制御

まとめと質疑応答
　27．まとめ
　28．質疑応答

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セミナーセミナー番号:A250620(SiC結晶)

パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

1名分無料適用条件

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