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May 8, 2017
HfO₂系強誘電体の基礎と半導体デバイス応用
－不揮発性メモリ・FeFET・次世代トランジスタへの展開－
～強誘電体の基礎から、HfO₂系の特徴・従来材料との比較、薄膜の作製・デバイス応用まで～
受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】のみ
CMOSプロセスとの高い親和性やスケーリング可能性を有する材料として、半導体デバイスへの応用で注目されるHfO₂系強誘電体材料。
強誘電体の基礎から、不揮発性メモリ応用と求められる強誘電体の物性、HfO₂系強誘電体材料の特徴と従来材料との比較、HfO₂系強誘電体薄膜の作製手法と特性例、FeFETや負性容量トランジスタ、ニューロモルフィックコンピューティングなどへの応用まで解説します。
| 日時 | 2026年4月20日（月） 13:00～16:30 |
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|---|---|---|
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受講料(税込)
各種割引特典
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49,500円
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体45,000円＋税4,500円
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E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円)3名で74,250円 (3名ともE-Mail案内登録必須) ※4名以上の場合も1名あたり24,750円で受講できます。
定価：本体36,000円＋税3,600円 E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※申込フォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。 |
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| 特典 | ■ライブ受講に加えて、見逃し配信でも１週間視聴できます■ 【見逃し配信の視聴期間】2026年4月21日(火)～4月27日(月)まで ※このセミナーは見逃し配信付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 ※ライブ配信を欠席し見逃し視聴のみの受講も可能です。 ※動画は未編集のものになります。 ※視聴ページは、開催翌営業日の午前中には、マイページにリンクを設定する予定です。 | |
| 配布資料 | PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 | |
| オンライン配信 | Zoomによるライブ配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください） | |
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
| 得られる知識 | ・強誘電体の基礎とHfO2系強誘電体の特徴 ・半導体メモリの動作原理 ・HfO2系強誘電体のエレクトロニクス応用 | |
| 対象 | ・これから強誘電体材料、強誘電体デバイス、半導体メモリ等に従事される方 ・HfO2系強誘電体に興味をお持ちの方 | |
セミナー講師
北陸先端科学技術大学院大学 名誉教授 工学博士 徳光 永輔 氏
【専門】固体電子工学、電気電子材料工学、半導体デバイス、強誘電体デバイス
1987年3月 東京工業大学大学院博士後期課程修了、同年4月工学部助手
1988年9月 AT&T Bell Laboratories研究員
1990年10月 東京工業大学工学部助手に復職
1992年10月 東京工業大学精密工学研究所助教授
2002年4月 東北大学電気通信研究所助教授
2004年4月 東京工業大学精密工学研究所助教授 2007年より准教授
2011年10月 北陸先端科学技術大学院大学 教授
2025年3月 北陸先端科学技術大学院大学を定年退職、名誉教授
【専門】固体電子工学、電気電子材料工学、半導体デバイス、強誘電体デバイス
1987年3月 東京工業大学大学院博士後期課程修了、同年4月工学部助手
1988年9月 AT&T Bell Laboratories研究員
1990年10月 東京工業大学工学部助手に復職
1992年10月 東京工業大学精密工学研究所助教授
2002年4月 東北大学電気通信研究所助教授
2004年4月 東京工業大学精密工学研究所助教授 2007年より准教授
2011年10月 北陸先端科学技術大学院大学 教授
2025年3月 北陸先端科学技術大学院大学を定年退職、名誉教授
セミナー趣旨
半導体集積回路の高性能化、高集積化、3次元化が進む中で、近年HfO₂系強誘電体材料のエレクトロニクス応用が注目されている。
本セミナーでは、最初に強誘電体の基礎とHfO₂系強誘電体材料の特徴について解説する。次にエレクトロニクス応用について、キャパシタ型とトランジスタ型不揮発性メモリの動作原理を解説し、使用する強誘電体に要求される物性について議論する。次にHfO₂系強誘電体薄膜の作製例、デバイス応用例を紹介し、最後に不揮発性メモリ以外の応用展開について述べる。
本セミナーでは、最初に強誘電体の基礎とHfO₂系強誘電体材料の特徴について解説する。次にエレクトロニクス応用について、キャパシタ型とトランジスタ型不揮発性メモリの動作原理を解説し、使用する強誘電体に要求される物性について議論する。次にHfO₂系強誘電体薄膜の作製例、デバイス応用例を紹介し、最後に不揮発性メモリ以外の応用展開について述べる。
セミナー講演内容
１．強誘電体の基礎
1.1 強誘電体の電気的特性
1.2 分極反転機構
２．強誘電体の不揮発性メモリ応用
2.1 半導体メモリの基本構成
2.2 キャパシタ型およびトランジスタ型強誘電体メモリの動作原理
2.3 強誘電体に要求される物性
３．HfO₂系強誘電体
3.1 歴史的背景
3.2 従来の強誘電体材料との比較
3.3 CMOSプロセスとの親和性
４．HfO₂系系系強誘電体薄膜の作製と特性例
4.1 HfO₂系強誘電体薄膜の作製手法
4.2 結晶相制御の重要性
５．HfO₂系強誘電体のデバイス応用例
5.1 強誘電体ゲートトランジスタ
６．不揮発性メモリ以外の応用展開への期待
6.1 負性容量を用いたスティープスロープトランジスタ
6.2 ニューロモルフィックコンピューティングへの応用
□ 質疑応答 □
1.1 強誘電体の電気的特性
1.2 分極反転機構
２．強誘電体の不揮発性メモリ応用
2.1 半導体メモリの基本構成
2.2 キャパシタ型およびトランジスタ型強誘電体メモリの動作原理
2.3 強誘電体に要求される物性
３．HfO₂系強誘電体
3.1 歴史的背景
3.2 従来の強誘電体材料との比較
3.3 CMOSプロセスとの親和性
４．HfO₂系系系強誘電体薄膜の作製と特性例
4.1 HfO₂系強誘電体薄膜の作製手法
4.2 結晶相制御の重要性
５．HfO₂系強誘電体のデバイス応用例
5.1 強誘電体ゲートトランジスタ
６．不揮発性メモリ以外の応用展開への期待
6.1 負性容量を用いたスティープスロープトランジスタ
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□ 質疑応答 □
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・ヒートパイプの/ 極薄化 / 自励振動型 / ループ型、 並列細管熱輸送デバイスの開発動向
・沸騰冷却 / 磁性流体 / 電気流体力学（EHD） 現象を利用した、熱輸送デバイスの開発
・新しい熱輸送現象として注目される「表面フォノンポラリトン」の原理と応用展開
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・新しい熱輸送現象として注目される「表面フォノンポラリトン」の原理と応用展開
・5G 対応スマートフォンおよびミニ基地局の放熱対策部品の事例を製品分解をもとに解説
エレクトロニクス | 化学・材料 | エネルギー・環境・機械
書籍
番号 M061
発刊
2020年08月
環境発電・エネルギーハーベスティング技術―デバイス開発と応用展開―
～各種発電技術の仕組み・特徴、市場動向、先進的なデバイス・応用開発事例まで～
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