B240937:３次元半導体集積化プロセスの基礎とその技術動向、今後の展望 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B240937(３次元集積化)

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半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

３次元半導体集積化プロセスの基礎と
その技術動向、今後の展望

異種機能デバイスチップ集積によるシステムレベルの高性能化、多機能化に向けて

受講可能な形式：【Live配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

　本セミナーでは、半導体チップの三次元集積化技術を中心に、開発推移の整理、基礎プロセスの再訪、先進パッケージの現状と今後の展望について解説します。

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日時

2024年9月27日（金） 10:30～16:30

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各種割引特典

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定価：本体50,000円＋税5,000円

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2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の27,500円)

配布資料

・PDFテキスト(印刷不可・複製不可)
　 ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信

・ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義の録画・録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

・半導体製造の前工程から後工程の配線技術の階層を横断する視点
・現在に至る異種デバイスチップの集積化プロセス開発の推移
・異種デバイスチップを三次元集積化する主要プロセスの基礎

対象

・今さら聞けない中間領域プロセスの復習をしたい中堅技術者
・パッケージングプロセスの理解に不安を抱いている装置、材料メーカーの若手及び中堅技術者
・LCDパネルのプロセス技術者
・先進半導体パッケージに関心のあるマーケティング部門、営業部門、企画部門の方々

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セミナー講師

神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科・非常勤講師　江澤弘和氏

[プロフィール]
　1985年（株）東芝に入社。Si半導体プロセス開発部門で先端微細化デバイスに対応したFEOL､BEOLのメタルプロセス開発に従事。開発から量産化、歩留り向上、品質事故対応まで担当。並行して、2000年からLow-k CPI、Micro-Bump、RDL、TSV、WLPを導入した新製品開発を推進。2011年からメモリ事業部。2017年から東芝メモリ（株）(現､キオクシア)。2019年に定年退職。2020年から個人事業ezCoworks Technology Consultingを運営。

セミナー趣旨

　米国では”CHIPS for America”の下、TSMC、Samsungのメガファブ誘致やIntel、Micronの生産増強支援に加えて、”National Advanced Packaging Manufacturing Program”によるパッケージ工程の国内生産回帰と開発強化の動きが顕在化しています。SK HynixはAI覇権を握るHBMの先端パッケージ生産拠点をインディアナ州に建設することを4月に発表しました。
　あらゆる産業に浸透するAIの認知深化は新たな情報サービス市場を創出しつつある一方、循環型経済へ移行する社会構造の変化が求められる中で、電子機器、エネルギー機器の低消費電力化は必至です。貪欲な市場は先端微細化によるチップレベルの性能向上だけでなく、パッケージの高品位化によるシステムレベルのモジュール性能向上を要求していますが、先進パッケージの民主化の推進は非先端デバイスによる新たな市場を創出しつつあります。
　日本では半導体産業を取り巻く地政学的な議論が喧しく、本来為すべき地道な産業基盤強化の深耕不足を憂慮する声も一部の有識者から聞こえています。本セミナーでは、半導体チップの三次元集積化技術を中心に、開発推移の整理、基礎プロセスの再訪、先進パッケージの現状と今後の展望に言及します。

セミナー講演内容

１．はじめに
　1.1 半導体パッケージの役割の変化
　1.2 最近の半導体デバイス開発の動向
　1.3 中間領域技術の進展による価値創出
　1.4 中間領域技術による半導体デバイス性能向上
　1.5 中間領域技術によるシステムレベル性能向上
　1.6 中間領域技術の拡張応用

２．三次元集積化プロセス
　2.1 TSV再訪（ＢＳＰＤＮプロセスの原点）
　2.2 Wafer level hybrid bonding（CIS, NAND Flashによる市場浸透）
　2.3 Logic-on-Memory Stacked chip SoC（RDL, Micro bumping, Mass reflow CoCの原点）
　2.4 2.5D（Si interposer導入からHBM-Processor integrationへ）
　2.5 Si bridgeの導入
　2.6 CoW hybrid bondingの課題
　2.7 3Dから3.5D chiplet integrationへ
　2.8 RDLの微細化

３．Fan-Out型パッケージ
　3.1 FOWLP開発から市場浸透の25年
　3.2 材料・プロセスの選択肢拡大（Chip.First×Face.Up, Low modulus mold, Adaptive patterning）
　3.3 3D Fan-Out integrationの民主化推進（InFO-POPの功罪とTMVプロセスのコストダウン）
　3.4 Panel Level Process（現状とプロセス高品位化の課題）
　3.5 パワーデバイスへの応用

4.今後の開発動向
　4.1 Co-Packaged Opticsの話題
　4.2 Glass interposer/substrateの話題とTGVプロセスの課題
　4.3 パワーデバイスの放熱問題とFOWLP化の話題
　4.4 先進パッケージの市場概況

５．Q&A

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セミナーセミナー番号:B240937(３次元集積化)

３次元半導体集積化プロセスの基礎とその技術動向、今後の展望

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