B240639:徹底解説　パワーデバイス | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B240639(パワーデバイス)

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【 2 名同時申込で 1 名無料】対象セミナーテレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー1名受講限定】

半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

徹底解説パワーデバイス　

～Si・SiC・GaN・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題～
～パワーデバイスの高機能化から日本のパワーデバイス産業の復権に向けた展望まで～

受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

パワーデバイスについて分かりやすく、詳細に解説
●パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
●パワーデバイス：Si、SiC、GaN、Ga2O3の優位性と課題
●パワーデバイスの構造と高性能化
●パワーデバイス産業の技術動向と将来展望　　
　について徹底解説！

日時

【Live配信】 2024年6月19日（水） 10:30～16:30

【アーカイブ配信】 2024年6月28日（金）まで申込み受付（視聴期間：6/28～7/11）

会場

【Live配信】オンライン配信セミナー

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【アーカイブ配信】オンライン配信セミナー

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受講料(税込)

各種割引特典

55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体50,000円＋税5,000円

E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件

2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の27,500円

※半導体産業応援キャンペーン【3名以上のお申込みで1名あたり24,200円】
　本体22,000円＋税2,200円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

【テレワーク応援キャンペーン(1名受講)　オンライン配信セミナー受講限定】
　1名申込みの場合：受講料( 定価：41,800円／E-Mail案内登録価格 39,820円 )
　　　定価：本体38,000円＋税3,800円
　　　E-Mail案内登録価格：本体36,200円＋税3,620円
　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
　※他の割引は併用できません。

■■■受講人数ごとのお申込み例■■■

1名で受講の場合：39,820円(税込)　※E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合：55,000円(税込)　※1名あたり27,500円(税込)
3名で受講の場合：72,600円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
4名で受講の場合：96,800円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合：121,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)

配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信

Live配信(Zoom)　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造　
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

対象

パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
※初心者の受講でも問題ない

セミナーリクエスト

セミナー講師

グリーンパワー山本研究所　所長　山本秀和　氏　

専門 : 半導体デバイス、半導体結晶
経歴：元千葉工業大学教授
　　　元三菱電機パワーデバイス開発部長
【講師詳細はこちら】

セミナー趣旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見え始めており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶製造が難しく高価で品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い等々、量産化には多くの課題があります。また、これまで日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。
　本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの進化の歴史と課題および将来展望について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス産業の復権に向けた提案を述べます。

セミナー講演内容

１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
　1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
　1.2 パワーデバイスの用途と産業構造

２．パワーデバイスの構造と高性能化
　2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
　2.2 パワーデバイスの高性能化

３．Siパワーデバイスの優位性と課題
　3.1 Siパワーデバイスの優位性
　3.2 Siパワーデバイスの課題

４．SiCパワーデバイスの優位性と課題
　4.1 SiCパワーデバイスの優位性
　4.2 SiCパワーデバイスの課題

５．GaNパワーデバイスの優位性と課題
　5.1 GaNパワーデバイスの優位性
　5.2 GaNパワーデバイスの課題

６．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
　6.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性
　6.2 Ga2O3パワーデバイスの課題

７．パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
　7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
　7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

　　□ 質疑応答 □

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徹底解説 パワーデバイス

1名分無料適用条件

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