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セミナーセミナー番号:B240377(半導体デバイス製造)

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半導体デバイス製造工程の基礎

～全体俯瞰と個々のプロセス技術の理解および最近の動向の把握～

■前工程から後工程、デバイス・材料技術、信頼性への影響■
■何が変わってきたのか、何が求められているのか■
■今求められるプロセス技術とそれに用いられる材料とは■
■半導体デバイス製造技術の総合知識■

受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ

個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化を俯瞰
最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術と
　それに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説
デバイスの進化、高まる要求特性により、何が変わってきたのか、何が求められているのか
半導体デバイス製造技術、プロセスの
　「これまで」「いま」「これから」の整理・把握と全体像の一気通貫での理解

このセミナーの受付は終了致しました。

日時	【Live配信】 2024年3月27日（水） 10:30～16:30
日時	【アーカイブ配信】 2024年4月9日（火）まで受付(視聴期間：4/9～4/22）
会場	【Live配信】オンライン配信セミナー	会場地図
会場	【アーカイブ配信】オンライン配信セミナー	会場地図
受講料(税込) 各種割引特典	55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について定価：本体50,000円＋税5,000円 E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円
受講料(税込) 各種割引特典	E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件 1名分無料適用条件 ※2名様とも、E-Mail案内登録が必須です。　2名様以降の受講者は、申込み前にE-Mail案内登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額27,500円) ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】　1名申込みの場合：受講料( 定価：41,800円／E-mail案内登録価格 39,820円 ) 　定価：本体38,000円＋税3,800円　E-mail案内登録価格：本体36,200円＋税3,620円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。
配布資料	PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、S＆T会員のマイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日からダウンロード可となります。
オンライン配信	Live配信(Zoom)　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
備考	※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
得られる知識	半導体の製造工程に関する一通りの知識
対象	半導体関連の技術者、営業・マーケティング担当者等、入門者の方の知識習得や中堅の方の知識の整理など

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セミナー講師

(株)ISTL　代表取締役社長　博士(工学)　礒部晶　氏
※元NEC／東京精密／ニッタハース／ディスコ
【講師紹介】

セミナー趣旨

　半導体デバイスの製造方法を基礎から解説します。ウエハ上にトランジスタや配線を形成する前工程と、個片化してパッケージに組み立てる後工程それぞれについて、個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化まで俯瞰します。最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術とそれに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説します。

セミナー講演内容

1．半導体デバイスの基礎と最新動向
　1.1 半導体の市場動向と業界構造
　1.2 半導体の応用分野
　1.3 ムーアの法則とは？
　1.4 トランジスタの基礎
　1.5 3次元トランジスタ
　1.6 メモリの基礎と3DNAND
　1.7 前工程と後工程

2．前工程
　2.1 形作りの基本
　2.2 半導体の基本モジュール
　　2.2.1 STI
　　2.2.2 トランジスタ
　　2.2.3 配線
　2.3 個別プロセスの詳細
　　2.3.1 酸化
　　2.3.2 成膜
　　2.3.3 リソグラフィー
　　2.3.4 エッチング
　　2.3.5 CMP
　　2.3.6 洗浄

3．後工程
　3.1 パッケージの種類と構造
　　3.1.1 リードフレームを用いるパッケージ
　　3.1.2 パッケージ基板を用いるパッケージ
　　3.1.3 ウエハレベルパッケージ
　　3.1.4 SIP
　3.2 個別プロセスの詳細
　　3.2.1 裏面研削
　　3.2.2 ダイシング
　　3.2.3 ダイボンディング
　　3.2.4 ワイヤボンディング
　　3.2.5 モールディング
　　3.2.6 バンプ形成
　3.3 最新パッケージ技術
　　3.3.1 FOWLP
　　3.3.2 CoWoS
　　3.3.3 チップレット

□質疑応答□

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半導体デバイス製造工程の基礎

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