B240528:半導体用レジストの基礎、材料設計、プロセス、評価方法 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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半導体用レジストの基礎、
材料設計、プロセス、評価方法

～感光性レジスト、リソグラフィー工程、レジストの基本原理・特性、材料設計～

■レジスト製造の基礎知識、材料設計指、使用の留意点■
■ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト■
■リソグラフィープロセス、レジストプロセス■

受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

レジスト、リソグラフィー、ノボラック系ポジ型レジスト、レジスト現像アナライザ（RDA）、
　化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト、、、
ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストの
　それぞれの化学成分とレジスト特性との関係
デバイスメーカーの視点からレジスト評価法の具体的な手法も解説
レジストの材料、プロセスに携わる方々は是非

日時

【Live配信】 2024年5月28日（火） 10:30～16:30

【アーカイブ配信】 2024年6月11日（火）まで受付(視聴期間：6/11～6/24）

会場

【Live配信】オンライン配信セミナー

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受講料(税込)

各種割引特典

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定価：本体50,000円＋税5,000円

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　本体22,000円＋税2,200円(1名あたり)
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　1名申込みの場合：受講料( 定価：41,800円／E-mail案内登録価格 39,820円 )
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5名で受講の場合：121,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)

配布資料

PDFデータ(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、S＆T会員のマイページよりダウンロード可となります。
※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日からダウンロード可となります。

オンライン配信

Live配信(Zoom)　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

・レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
・レジストを使用する際の留意事項
・リソグラフィープロセスについて
・素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
・レジスト材料（ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト）
・レジストプロセスについて

対象

・レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
・半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
・レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

キーワード：レジスト、リソグラフィー、ノボラック系ポジ型レジスト、レジスト現像アナライザ（RDA）、化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト

セミナーリクエスト

セミナー講師

大阪公立大学　学長特別補佐
大学院工学研究科　物質化学生命系専攻　化学バイオ工学分野　高分子化学研究グループ　教授
博士(工学)　堀邊英夫　氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

　半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

セミナー講演内容

1．感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
　1.1.感光性レジストとは?
　1.2.リソグラフィーについて
　1.3.フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要

2．レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
　2.1.半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
　2.2.レジストの基本原理
　2.3.レジストの現像特性

3．ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
　3.1.レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
　3.2.ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
　3.3.ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
　3.4.PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
　3.5.ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係

4．化学増幅ポジ型レジストの材料設計
　4.1.化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
　　・ベース樹脂
　　・溶解抑制剤
　　・酸発生剤
　4.2.化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
　4.3.化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
　4.4.EUVレジストへの展開
　4.5.i線厚膜レジストへの展開

□質疑応答

セミナーリクエスト

セミナーセミナー番号:B240528(半導体用レジスト)

半導体用レジストの基礎、材料設計、プロセス、評価方法

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