セミナー
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【半導体後工程技術の深化と進化】
最先端3D集積とチップレットにおける課題
および配線・接合技術の最新動向と
プロセス技術・材料への要求
受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
AI時代に重要度が増すロジック半導体への適用に期待の先端3D集積配線技術 BSPDNと、
近年関心が高まるチップレット集積への適用に期待の ハイブリッド接合
これらに用いられる要素技術を中心に最新動向を解説!
Wafer-to-Wafer ハイブリッド接合に必要なめっき技術・CMP技術・洗浄技術とは?
Die-to-Wafer ハイブリッド接合、ダイレベルハイブリッドの最新動向は?
昨年のECTC2023でハイブリッド接合を用いた新たなチップ集積技術の発表もしている
横浜国立大学の井上史大氏が解説します
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
AI時代に重要度が増すロジック半導体への適用に期待の先端3D集積配線技術 BSPDNと、
近年関心が高まるチップレット集積への適用に期待の ハイブリッド接合
これらに用いられる要素技術を中心に最新動向を解説!
Wafer-to-Wafer ハイブリッド接合に必要なめっき技術・CMP技術・洗浄技術とは?
Die-to-Wafer ハイブリッド接合、ダイレベルハイブリッドの最新動向は?
昨年のECTC2023でハイブリッド接合を用いた新たなチップ集積技術の発表もしている
横浜国立大学の井上史大氏が解説します
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 | 2024年7月4日(木) 13:00~16:30 |
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会場 | オンライン配信 |
会場地図 | ||
受講料(税込)
各種割引特典
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49,500円
( E-Mail案内登録価格 46,970円 )
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
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E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須/1名あたり定価半額の24,750円)
1名申込みの場合:受講料37,400円( E-Mail案内登録価格 35,640円) 定価:本体34,000円+税3,400円 E-Mail案内登録価格:本体32,400円+税3,240円 ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。
3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 22,000円 本体20,000円+税2,000円(1名あたり) ※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。 ※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
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配布資料 | PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 | |||
オンライン配信 | ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページから お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード/映像視聴ページ」に お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。 開催日の【2日前】より視聴用リンクと配布用資料のダウンロードリンクが表示されます。 アーカイブ(見逃し)配信について 視聴期間:7/5~7/11の7日間 ※アーカイブは原則として編集は行いません ※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。 (開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます) | |||
備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 |
このセミナーは終了しました。
セミナー講師
横浜国立大学 理工学部 機械・材料・海洋系学科 准教授 工学(博士) 井上 史大 氏
【専門】半導体プロセス 【講師紹介】
【専門】半導体プロセス 【講師紹介】
セミナー趣旨
半導体の前工程と後工程の境目がなくなってきており、さまざまな3D集積技術がトレンドに挙がってきている。本講演でそれら技術の詳細と必要となるプロセス技術、材料を紹介する。
セミナー講演内容
1.3Dロジックデバイス
1.1 BSPDNとは?
1.2 開発動向
1.3 必要となる要素技術
2.Wafer-to-Wafer ハイブリッド接合
2.1 ハイブリッド接合とは?
2.2 開発動向
2.3 Cuパッドデザイン
2.4 アライメント精度
2.5 接合絶縁膜
2.6 めっき技術
2.7 CMP技術
2.8 洗浄技術
2.9 プラズマ活性化技術
2.10 接合強度測定
3.Die-to-Wafer ハイブリッド接合
3.1 チップレット
3.2 ダイレベルハイブリッド
3.3 ダイボンダ―
3.4 コレクティブボンディング
3.5 リコンストラクティッドボンディング
3.6 接合強度測定手法
□質疑応答□
1.1 BSPDNとは?
1.2 開発動向
1.3 必要となる要素技術
2.Wafer-to-Wafer ハイブリッド接合
2.1 ハイブリッド接合とは?
2.2 開発動向
2.3 Cuパッドデザイン
2.4 アライメント精度
2.5 接合絶縁膜
2.6 めっき技術
2.7 CMP技術
2.8 洗浄技術
2.9 プラズマ活性化技術
2.10 接合強度測定
3.Die-to-Wafer ハイブリッド接合
3.1 チップレット
3.2 ダイレベルハイブリッド
3.3 ダイボンダ―
3.4 コレクティブボンディング
3.5 リコンストラクティッドボンディング
3.6 接合強度測定手法
□質疑応答□
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