～メタルレジストの構造、EUV露光における反応、半導体微細化の最新動向～

　講師：（国研）物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター 主幹研究員 博士（理学）　山下 良之　氏
　〇収録時間：2時間9分　　〇配布形式：PDF

＜趣旨＞
　近年2nmスケールの半導体が非常に注目を集めている。その中の核技術の1つとしてレジストがあげられる。本講演では1)メタルレジストがなぜ重要か、2)各社が開発したメタルレジスト、3)EUV光利用におけるメタルレジストの必要性、4)メタルレジストのEUV露光による反応機構を中心に講演を行っていく。必要に応じて、2nmスケール半導体作製における核技術、世界動向についても講演を行う。

　【詳細内容・個別申込みはこちら】 → https://www.science-t.com/seminar/O250711.html
 

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■セミナー２■『半導体用レジストの基礎と材料設計、環境配慮型の新規レジスト除去技術』
　　　　　　　　～ノボラック型・化学増幅型・EUV対応レジストの特性と評価、除去技術～

　講師：大阪公立大学 学長特別補佐 大学院工学研究科 高分子化学研究グループ 教授 博士(工学)　堀邊 英夫　氏
　〇収録時間：4時間20分　　〇配布形式：製本

＜趣旨＞
　半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。 レジスト剥離 (除去)技術 については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。
　また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

　【詳細内容・個別申込みはこちら】 → https://www.science-t.com/seminar/O250761.html
 

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■セミナー３■『リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と
　　　　　　　　　　　　　　微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望』
　　　　　　　　～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針～

　講師：鴨志田技術事務所  代表　鴨志田 洋一　氏 （元神奈川大学、ＪＳＲ(株)）
　〇収録時間：4時間45分　　〇配布形式：PDF

＜趣旨＞
　今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス(ME)の発展に支えられている。その先端技術ともいえる人工知能(AI)は医療分野、自動運転技術への展開から社会への浸透をはじめており、人間に代わるから超えるところまで議論されている。
　MEは、1950年代に集積回路(IC)が開発されて以来、大規模集積回路(LSI)のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化、システムLSIの高性能化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。
　レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。
　1) コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
　2) 投影露光方式の導入
　3) 化学増幅型レジスト／エキシマレーザ光源の採用
　4) EUV光源の採用など
　それぞれのステップで多くのイノベーションが実現され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用への指針とする。あわせて、日本の今後の半導体関連産業の在り方についても考察する。

　【詳細内容・個別申込みはこちら】 → https://www.science-t.com/seminar/O250821.html
 

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■セミナー４■『リソグラフィ技術の基礎およびEUVリソグラフィ・レジスト周辺技術と展望』
　　　　　　　　～微細加工技術、EUVリソグラフィ技術、事例、フォトリソグラフィ技術～

　講師：東京大学 大学院新領域創成科学研究科 特任助教 博士（理学）　藤原 弘和　氏
　〇収録時間：2時間59分　　〇配布形式：PDF

＜趣旨＞
　フォトリソグラフィ技術の進化は、半導体集積回路の集積度向上を支えてきました。最先端の極端紫外線（EUV）リソグラフィによって20 nm以下の線幅まで解像可能となり、微細化による半導体製品の高性能化のトレンドは継続するとみられます。しかし、EUVリソグラフィには特有の課題があり、レジスト材料等の最適化が進められています。
　本講演では、微細加工技術の基礎から始まり、フォトリソグラフィ技術の原理や特長、さらに最新のEUVリソグラフィ技術について、光と物質の相互作用に基づいて詳しく解説します。
　EUVリソグラフィの装置やレジスト、フォトマスクなどの要素技術から応用事例までを網羅し、最後にフォトリソグラフィ技術の課題と今後の展望について紹介します。これにより、微細加工分野における最先端技術の理解を深めていただくことを目的としています。

　【詳細内容・個別申込みはこちら】 → https://www.science-t.com/seminar/O250701.html