■オンデマンドセミナーその１■　【収録時間】2時間31分
＜半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ＞
プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

＜セミナー講師＞
SPPテクノロジーズ(株)
製造部 次長　兼　生産管理グループ長　兼　マーケティング部 マネジャー　金尾 寛人　氏
（※講演当時のご所属です。現在は住友精密工業株式会社）

＜趣旨＞
　当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

＜得られる知識・技術＞
プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。

＜プログラム＞
１．プラズマCVD装置の基本構造
　1.1 プラズマCVD装置の構成
　1.2 反応チャンバーの基本構成

２．プラズマCVD装置の用途
　2.1 適用アプリケーション

３．プラズマCVD装置のプロセス性能
　3.1 SiH4系SiO2膜
　3.2 SiH4系SiN膜
　3.3 SiH4系SiON膜
　3.4 SiH4系a-Si膜
　3.5 SiH4系SiC膜
　3.6 TEOS系SiO2膜
　3.7 液体ソース系SiN膜

４．開発用装置と量産用装置
　4.1 プラットフォーム

５．プラズマCVD装置の課題と対策
　5.1 高レート化
　5.2 プロセスの再現性
　5.3 低パーティクル
　5.4 チャンバークリーニング
　5.5 ウェーハ温度の低温化
　5.6 ウェーハ大口径化　　など

■Ｑ＆Ａ■
　このセミナーの内容に関する質問に限り、講師とQ&Aをすることができます。
　具体的には配布資料に講師のメールアドレスを記載していますので、講師へ直接のメールにてご質問いただけます。
　（ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい。）
 

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■オンデマンドセミナーその２■　【収録時間】4時間33分
＜装置、反応とプロセス最適化＞
ＣＶＤ装置・ＡＬＤ装置における化学反応・プロセス・流れ解析と最適化

＜セミナー講師＞
反応装置工学ラボ・代表 羽深 等 氏 【横浜国立大学 名誉教授】

＜趣旨＞
　化学気相堆積（CVD）法と原子層堆積（ALD）法は、半導体をはじめとする様々な薄膜を形成する際に広く用いられている方法です。これには、流れ、熱、反応物質の輸送に気相・表面の化学反応が並行するため、複雑な印象を受けてしまいます。
　そこで熱とプラズマの中で起きている化学反応と流れを観察し、解析することにより成膜機構を理解した事例、工夫した事例、排ガス管内堆積物から成膜機構を推定した事例などを紹介します。成膜装置全体で生じている現象の全体像を理解して実務に活かし、装置と工程の維持・管理・最適化に繋げることが可能です。装置、反応とプロセスを進歩させる入口になれば幸いです。

＜得られる知識・技術＞
１．CVD法とALD法の基本現象
２．成膜装置全体に起こっている現象の捉え方
３．色々な情報を用いて化学反応と流れを推定する方法
４．成膜結果の関数化表現と活用例
５．副生成物の挙動と影響
６．最適化の考え方
７．装置部材、センサーなどが晒される状態
８．装置状態の検知と維持管理の要点

＜プログラム＞
１．序論
　1.1 ＣＶＤ法とＡＬＤ法の原理、成膜理由、装置、事例、条件と要因、反応励起方法
　1.2 微細化と成膜方法の使い分け

２．化学反応速度の基礎
　2.1 化学反応の基礎と反応速度式の考え方
　2.2 律速過程

３．表面反応・気相反応
　3.1 表面反応・気相反応
　3.2 諸要因（反応の場所、膜と基板、温度環境、格子定数、熱膨張など）と膜質

４．その場観察方法
　4.1 ガス採取場所の選択と注意
　4.2 主な方法：四重極質量分析法、圧電性結晶振動子法、赤外分光法

５．膜の分析方法
　5.1 膜厚・反応・膜質に関わる測定方法（ＸＰＳ，ＳＩＭＳ，ＥＤＸ，など）
　5.2 分析結果の解釈に困った時

６．反応の場を考慮した反応解析事例
　6.1 流れの方向と膜厚の関係：観察例と数値計算例
　6.2 装置の形と膜質（ドーパント濃度分布の実測と解析）
　6.3 基板回転の効果（膜厚平均化、流れの引寄せによる成膜高速化）
　6.4 ＡＬＤ装置内の流れと熱（数値解析例）

７．膜分析とガス分析の活用事例
　7.1 成膜とドーピングの反応機構構築（排ガス分析、数値解析）
　7.2 前駆体相互作用（クロロシラン、メチルシラン、三塩化ホウ素）の解釈と反応設計
　7.3 炭化ケイ素と窒化ガリウムの成膜機構の例
　7.4 多元系膜のプラズマＣＶＤ反応機構解析例

８．副生成物から推定される反応機構
　8.1 製膜装置内の場所と副生成物の特徴
　8.2 クロロシランによるＳｉとＳｉＣの成膜時の副生成物（危険性と解消法）

９．最適化の考え方
　9.1 諸成膜要因の効果と活用（温度、濃度、流量、律速過程、回転）
　9.2 装置内全体の反応状態と堆積物（膜と副生成物）
　9.3 装置クリーニングと装置部材の耐腐食性
　9.4 解析・モデル化の進め方（要因の発見と機構の決定）

１０．まとめ

■Ｑ＆Ａ■
　このセミナーの内容に関する質問に限り、講師とQ&Aをすることができます。
　具体的には配布資料に講師のメールアドレスを記載していますので、講師へ直接のメールにてご質問いただけます。
　（ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい。）