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クライオエッチングの
基礎・現状・課題と最新技術動向

反応メカニズムから高アスペクト比加工・クライオ原子層エッチングまで

受講可能な形式:【ライブ配信(見逃し配信付)】のみ

デバイスの微細化・高積層化の既存技術における限界が見え始めている中、注目を集める「クライオエッチング」を半日速習!
基本原理から反応メカニズムや加工技術の最新研究動向までを解説します。
 
日時 2026年9月16日(水)  13:00~16:30
受講料(税込)
各種割引特典
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の24,750円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込みの場合:受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
 定価:本体36,000円+税3,600円
 E-Mail案内登録価格:本体34,400円+税3,440円
※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 22,000円
 本体20,000円+税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
 
■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合:37,840円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合:49,500円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料:1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合:66,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合:88,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合:110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
特典ライブ配信受講に加えて、見逃し配信でも以下期間中に視聴できます
【見逃し配信の視聴期間】2026年9月24日(木)~9月30日(水)まで
※このセミナーは見逃し配信付です。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
※ライブ配信を欠席し見逃し配信の視聴のみの受講も可能です。
※見逃し配信は原則として編集は行いません。
※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のご連絡をいたします。
配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)
開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
オンライン配信Zoomによるライブ配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)

セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード/映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
開催日の【2日前】より視聴用リンクと配布用資料のダウンロードリンクが表示されます。
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー講師

名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 特任教授 蕭 世男 氏
 

セミナー趣旨

 半導体集積回路デバイスの製造において、プラズマを用いた微細加工、すなわちプラズマエッチングは不可欠なプロセス技術である。トランジスタ、DRAM、NANDに代表されるデバイスでは、従来の微細化および高積層化(スケーリング)が進められてきた。しかし近年、既存技術には物理的・技術的な限界が顕在化しつつある。そこで、基板温度を極低温領域まで低下させ、ウェハ表面における反応種の物理吸着および表面拡散を制御するクライオエッチング(cryogenic etching)が注目されている。本講演では、プラズマエッチングの基本原理から、クライオエッチング導入の背景、反応メカニズムの解明、ならびに最新の研究動向について解説する。

セミナー講演内容

1.エッチング加工とは
 1.1 等方性エッチング
 1.2 異方性エッチング

2.ドライプロセスエッチング
 2.1 低温プラズマの基礎原理と知識
 2.2 プラズマエッチングと装置
 2.3 プラズマエッチングメカニズム
 2.4 高アスペクトエッチング

3.クラオイエッチング
 3.1 クラオイエッチングとは
 3.2 クラオイエッチングの基礎原理
 3.3 クラオイエッチングの応用例

4.クラオイエッチングによる高アスペクト比加工
 4.1 クライオシリコン深掘エッチング
 4.2 クライオチャネルホール深掘エッチング

5.クラオイエッチングの反応メカニズムと加工技術の最新動向
 5.1 クラオイエッチングにおける気相反応
 5.2 クラオイエッチングにおける表面反応
 5.3 クライオ原子層エッチング

  □質疑応答□

 
※詳細プログラムは変更になる可能性がございます。