ALDプロセスの基礎と
原料の分子設計・開発および成膜の最新技術
有機金属原料の基礎知識から成膜トラブルを防ぐ原料の選定・開発、
カルコゲナイドや低温ALD、ALEまでを詳しく解説
受講可能な形式:【Live配信】のみ
ALDプロセスの基礎知識から、成膜に用いられる有機金属原料の分子設計・合成・揮発性・安全性について、現場の実情に即して体系的に解説します。さらに、近年話題のカルコゲナイド(MoS₂など)や遷移金属系薄膜への適用技術、成膜トラブルを防ぐ原料の選択指針、ALDの逆工程であるアトミックレイヤーエッチング(ALE)や、低温でも高品質な成膜が可能な低温ALDにも触れます。
これからALDを導入しようとする方や、新規膜種の開発を行う方におすすめの内容です。
ぜひこの機会にお役立てください。
[キーワード] ALD原料の選択 有機金属 ALDサイクル 原料の揮発性 化学吸着 原料の反応性
日時 | 【Live配信】 2025年6月26日(木) 10:30~16:30 |
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受講料(税込)
各種割引特典
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55,000円
( E-Mail案内登録価格 52,250円 )
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体50,000円+税5,000円
E-Mail案内登録価格:本体47,500円+税4,750円
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2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須/1名あたり定価半額の27,500円)
1名申込みの場合:受講料 44,000円(E-Mail案内登録価格 42,020円) 定価:本体40,000円+税4,000円 E-Mail案内登録価格:本体38,200円+税3,820円 ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。 |
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配布資料 | 製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定) ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、 セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。 Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。 | |
オンライン配信 | Live配信(Zoom) ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) | |
備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
得られる知識 | ・ALDの基礎 ・ALD原料の知識 ・ALD原料の選択のための情報 | |
対象 | これからALDを始めようとしている方 新しい膜種をALDで作成しようとしている方 ALDの全体像を知りたい方 |
セミナー講師
気相成長株式会社 代表取締役社長 博士(理学) 町田 英昭 氏
[ご専門] 有機金属化学/CVD, ALD原料開発/LSI配線関連プロセス開発
[ご経歴]
2008年(株)トリケミカル研究所 開発部長、取締役辞任
2008年~2010年東京大学特任研究員
2008年 気相成長株式会社設立 CVD, ALD原料開発およびプロセス開発
2020年~NPO科学知総合研究所理事長
2022年 Advanced Metallization Conference・東京大学開催・委員長
2024年~東京理科大学非常勤講師
[HP] http://www.kisoh-seicho.com
[ご専門] 有機金属化学/CVD, ALD原料開発/LSI配線関連プロセス開発
[ご経歴]
2008年(株)トリケミカル研究所 開発部長、取締役辞任
2008年~2010年東京大学特任研究員
2008年 気相成長株式会社設立 CVD, ALD原料開発およびプロセス開発
2020年~NPO科学知総合研究所理事長
2022年 Advanced Metallization Conference・東京大学開催・委員長
2024年~東京理科大学非常勤講師
[HP] http://www.kisoh-seicho.com
セミナー趣旨
有機金属化合物の一般的特徴とALD用原料としての揮発可能な原料の開発指針を中心として、多種気相原料の特徴とALDに適しているか否かを解説する。また、原料の揮発・輸送手段の例を具体的に紹介する。さらに現在、注目を集めているMoS2などカルコゲナイドや遷移金属薄膜の原料と成膜、今後の発展が期待されるALDの逆工程ALE(Atomic Layer Eching)についても提案、最後に近年盛んになった低温ALDについても触れる。
セミナー講演内容
1.はじめに
1)気相成長原料の過去・現在
2)気相成長技術の採用
3)ALD市場
4)ALDとは
2.原料の反応性とALD
1)化学吸着とALDサイクル
a) TMAとH2O
b) H2Oと反応しない原料
c) ALDサイクルの初期層
2)非化学吸着のよるALDサイクル
a) 物理吸着とALDサイクル
b) 問題点
3. 原料の基礎
1)有機金属原料
a) 有機金属とは
b) 有機金属の合成法
c) 有機金属の実用
4.原料の分子設計
1)揮発性
a) 有機金属結合型
b) 共有結合性有機金属
c) イオン結合性有機金属
d) 蒸気圧向上法
e) 蒸気圧測定法
2)低融点
a) 共有結合とイオン結合
b) 低融点化
3)分子軌道計算
a) 分子間力
b) 成長シミュレーション
5.原料の安全性
1)消防法危険物
a) 引火性
b) 発火性
c) 水との反応性
d) 爆発性
2)毒性
a) 急性毒性・慢性毒性
b) 特に注意すべき原料
6.原料の製造
1)量産性
2)コスト
7.原料の分解
1)熱分解
a) 自己分解
b) 雰囲気ガス
2)分解温度の調整
a) 低温化
b) 高温化
3)保存安定性
a) 保存容器
b) 保存状態
c) 安定剤
8.原料の揮発・輸送
1)蒸気圧直接供給
a) ガス原料
b) 微差圧駆動MFC
2) キャリアガスバブリング
a) 液体原料
b) 溶液原料 ……タイプA, タイプB
c) 蒸気圧と揮発性
3) ダイレクトリキッドインジェクション
a) 液体原料
b) 溶液原料
4) 原料の同時供給
a) Pre-reaction
b) Adduct形成
9.原料各論
1) 原料の種類と性質
a) タイプA
b) タイプB
2) 族別原料の性質
a) 1,2族
・
・
p) 17族
10.新しいALD状況
1)カルコゲナイドALD
2)メタル膜ALD
a) ラジカル種を用いたALDの紹介
b) 新原料を用いたALDの実験と最新結果
c) 第3成膜種利用
3)アトミックレイヤーエッチング(ALE)
a) 代表例
b) ALEのチャレンジ
4)低温ALD
a) TMAによるAl2O3
b) 他の多量体原料
c) 各種原料の室温反応性比較
11. まとめ
□質疑応答□
1)気相成長原料の過去・現在
2)気相成長技術の採用
3)ALD市場
4)ALDとは
2.原料の反応性とALD
1)化学吸着とALDサイクル
a) TMAとH2O
b) H2Oと反応しない原料
c) ALDサイクルの初期層
2)非化学吸着のよるALDサイクル
a) 物理吸着とALDサイクル
b) 問題点
3. 原料の基礎
1)有機金属原料
a) 有機金属とは
b) 有機金属の合成法
c) 有機金属の実用
4.原料の分子設計
1)揮発性
a) 有機金属結合型
b) 共有結合性有機金属
c) イオン結合性有機金属
d) 蒸気圧向上法
e) 蒸気圧測定法
2)低融点
a) 共有結合とイオン結合
b) 低融点化
3)分子軌道計算
a) 分子間力
b) 成長シミュレーション
5.原料の安全性
1)消防法危険物
a) 引火性
b) 発火性
c) 水との反応性
d) 爆発性
2)毒性
a) 急性毒性・慢性毒性
b) 特に注意すべき原料
6.原料の製造
1)量産性
2)コスト
7.原料の分解
1)熱分解
a) 自己分解
b) 雰囲気ガス
2)分解温度の調整
a) 低温化
b) 高温化
3)保存安定性
a) 保存容器
b) 保存状態
c) 安定剤
8.原料の揮発・輸送
1)蒸気圧直接供給
a) ガス原料
b) 微差圧駆動MFC
2) キャリアガスバブリング
a) 液体原料
b) 溶液原料 ……タイプA, タイプB
c) 蒸気圧と揮発性
3) ダイレクトリキッドインジェクション
a) 液体原料
b) 溶液原料
4) 原料の同時供給
a) Pre-reaction
b) Adduct形成
9.原料各論
1) 原料の種類と性質
a) タイプA
b) タイプB
2) 族別原料の性質
a) 1,2族
・
・
p) 17族
10.新しいALD状況
1)カルコゲナイドALD
2)メタル膜ALD
a) ラジカル種を用いたALDの紹介
b) 新原料を用いたALDの実験と最新結果
c) 第3成膜種利用
3)アトミックレイヤーエッチング(ALE)
a) 代表例
b) ALEのチャレンジ
4)低温ALD
a) TMAによるAl2O3
b) 他の多量体原料
c) 各種原料の室温反応性比較
11. まとめ
□質疑応答□
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