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【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー

＜性能を左右するゲート絶縁膜の高度化へ＞
SiCパワーMOSFETの高性能化技術
～SiO2とSiCの界面形成手法を再考する～

■SiCゲートスタック形成における各種のMOS界面形成技術■
■SiC MOS界面欠陥パッシベーション技術、SiC MOSFETの高移動度化技術■
■SiCの酸化反応、窒化反応、その他の表面反応の特徴の理解■

受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
 
★ アーカイブ配信のみの受講も可。
★ SiCパワーMOSFETの性能を左右するキーテクノロジー：ゲート絶縁膜となるSiO2とSiCチャネルとの界面形成技術を解説！
★ さまざまな表面反応に着目して解説します。各種の界面形成プロセスの効果やその課題とは！？
日時 【Live配信（アーカイブ配信付き）】 2025年10月29日（水）  13:00～16:30
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
  2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の24,750円)
  3名で74,250円 (3名ともE-Mail案内登録必須​)　※4名以上も1名追加ごとに24,750円を加算
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
 1名申込みの場合： 受講料 39,600円 (E-Mail案内登録価格 37,840円)
　定価：本体36,000円＋税3,600円、E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　　※他の割引は併用できません。
特典■Live受講に加えて、アーカイブでも１週間視聴できます■
【アーカイブの視聴期間】2025年10月30日(木)～11月5日(水)まで
このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。
配布資料製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が開催日に間に合わないことがございます。
　Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
オンライン配信ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

 

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セミナー講師

東京大学 大学院新領域創成科学研究科 教授　喜多 浩之　氏
【経歴・研究内容・専門など】               
2001年に東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻にて助手、その後同専攻の講師、准教授を経て2022年より現職。
一貫してゲート絶縁膜形成技術の高度化とそれを用いたMOSFET高性能化技術に取り組む。先端CMOSへ向けた高誘電率ゲート絶縁膜形成技術とその界面科学、高移動度GeチャネルMOSFET形成技術、高機能パワーMOSFETへ向けたSiC、Ga2O3 MOSゲートスタック形成技術などの研究を行っている。
【WebSite】
https://www.scio.t.u-tokyo.ac.jp/index.html

セミナー趣旨

　SiCパワーMOSFETの性能を最も大きく左右する技術の1つは、ゲート絶縁膜となるSiO2とSiCチャネルとの界面形成技術である。SiO2の形成に伴うSiCとSiO2の界面反応に加え、界面形成後の界面修飾がゲートスタックの性能を決定する。
　本講座では、SiCとSiO2の界面で生じる諸現象を、SiCの酸化反応や窒化反応だけでなく、様々な表面反応に着目して解説し、各種の界面形成プロセスの効果やその課題について理解を深めます。

セミナー講演内容

＜得られる知識・技術＞
・SiCゲートスタック形成における各種のMOS界面形成技術
・SiC MOS界面欠陥パッシベーション技術、SiC MOSFETの高移動度化技術
・SiCの酸化反応、窒化反応、その他の表面反応の特徴の理解

＜プログラム＞
１．MOSFETにおけるゲートスタック技術の重要性
　(1) MOS反転層とは
　(2) 反転層チャネルの移動度を決める因子
　(3) MOS界面欠陥準位とは
　(4) ゲートスタックの信頼性
　(5) MOSFETの閾値と界面欠陥

２．SiC MOSFETのゲートスタックの現状と問題点
　(1) ゲート絶縁膜に求められる因子
　(2) SiC MOS界面形成の難しさ
　(3) SiC ゲート絶縁膜形成技術の紹介
　(4) Si MOSFETとSiC MOSFETの決定的な違い

３．ゲート絶縁膜形成のためのSiC表面反応を理解する
　(1) SiCと各種の酸化反応の理解
　(2) SiC窒化反応の理解

４．SiC MOS界面近傍の構造
　(1) SiC MOS界面近傍のSiOx層の重要性
　(2) SiO2に不純物を加える効果
　(3) 絶縁膜形成が与えるSiC表面近傍の変化

５．SiC MOS界面形成手法を再考する
　(1) 各種の新規プロセスの効果の理解
　(2) SiC MOSFETにおける閾値電圧の重要性と制御の可能性
　(3) 理想的な界面構造
　(4) まとめと展望

　　□質疑応答□

 

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