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ダイヤモンド半導体の最新開発動向

受講可能な形式：【Live配信】のみ
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日時 2024年2月22日（木）  9：55～16：00
会場 オンライン配信セミナー  
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講師 金沢大学　ナノマテリアル研究所　教授（リサーチプロフェッサー）　博士（工学）
徳田 規夫　氏
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 49,500円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体45,000円＋税4,500円
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　申し込み受領後、主催会社(株)ジャパンマーケティングサーベイから請求書を郵送致します。
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※サイエンス＆テクノロジーが設定しているアカデミー価格・キャンセル規定対象外のセミナーです。
主催(株)ジャパンマーケティングサーベイ
オンライン配信★Webセミナー（Zoomウェビナーを利用）として開催いたします。
備考※特記事項
　講演会は受講者数が規定に達しない場合中止する場合があります。
　尚、請求書は開催が決定した場合のみ送付いたします。
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セミナー趣旨

　ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、その他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向を解説して頂くことにより、本業界に関わる方々のビジネスに役立てて頂くことを目的とします。

セミナー講演内容

　ダイヤモンドの魅力からダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向について、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。

1　はじめに
　1-1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
　1-2 ダイヤモンド半導体研究の歴史

2　ダイヤモンドウェハ製造技術
　2-1 成長技術（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
　2-2 不純物ドーピング技術
　2-3 加工技術（スライス・カット，研磨技術）

3　ダイヤモンドダイオード
　3-1 ショットキーバリアダイオード
　3-2 PN接合ダイオード
　3-3 ショットキーPNダイオード（SPND）

4　ダイヤモンドトランジスタ
　4-1 MESFET
　4-2 JFET
　4-3 BJT
　4-4 MOSFET

5　その他のデバイス応用
　5-1 深紫外線発光デバイス
　5-2 電子放出デバイス
　5-3 ダイヤモンド電気化学電極
　5-4 ダイヤモンド中窒素-空孔（NV）中心を用いた量子デバイス/センサ

6　まとめと今後の展開
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