1995年に提唱されたナノインプリント技術は、今年で30年目を迎え、これまで多くの研究開発が行われてきました。ここでは、基本的なメカニズムについて理解するとともに、ナノインプリントのシーズに基づいた応用展開について述べます。さらに、ここ数年活発展開をみせる半導体集積回路への応用や、メタバース機器への展開について紹介します。
　今からナノインプリントを始められるエンジニアや、ナノインプリントでの問題を抱えているエンジニアの方々をはじめ、ナノインプリントを使ってみようと考えられている方々に、ナノインプリントの全体像の把握とキーポイントの理解にお役に立てるものと考えています。

　1.　ナノインプリントの歴史とこれまでの研究開発状況 
　　1.1　ナノインプリンﾄトの歴史と研究開発状況 
　　1.2　ナノインプリントの種類と特徴 
　　1.3　ナノインプリントの成立要件 

　2.　熱・ダイレクトナノインプリントの基礎 
　　2.1　熱・ダイレクトナノインプリント技術と成型性、プロセス設計 
　　2.2　成型時のストレスとその緩和 
　　2.3　成型圧力と成型時間

　3.　光(UV)ナノインプリントの基礎 
　　3.1　光ナノインプリント技術と成型性、バブルの発生とその抑制 
　　3.2　残存膜厚の均一化 
　　3.3　光照射における留意点 
　　3.4　光硬化反応とプロセス設計 

　4.　離型プロセス
　　4.1　離型のメカニズム 
　　4.2　離型時の欠陥とその解消 
　　4.3　傾斜型回折格子の離型 

　5.　分子レベルでの挙動と限界解像性 
　　5.1　分子径と熱ナノインプリント、光ナノインプリントの成型性 
　　5.2　離型における分子量依存性 

　6.　モールド作製技術
　　6.1　半導体プロセスを利用したモールド作製 
　　6.2　曲面、階段状モールドの作製 
　　6.3　レプリカモールドの作製 

　7.　その他周辺技術
　　7.1　ディープラーニングによるプロセス・材料設計支援 
　　7.2　リバーサルナノインプリントによる積層構造作製 
　　7.3　ハイブリッドナノインプリントによる三次元構造作製 

　8.　ナノインプリントのシーズからみた応用分野 
　　8.1　半導体集積回路 
　　8.2　光学要素、光素子 
　　8.3　バイオ素子 
　　8.4　電子デバイス 

　9.　最近の話題から 
　　9.1　次世代半導体集積回路への応用 
　　9.2　AR/VR用光導波路への応用 

　10.　まとめ

≪タイムテーブル≫
　10：00～12：00　前半
　12：00～13：00　休憩　（1時間）
　13：00～16：00　後半
　　※講演中、適宜休憩（5分～10分程度）を設けます。 
　　※質疑応答（5分程度）を設けます。