セミナー番号:B180434(酸化ガリウムパワーデバイス)
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー

酸化ガリウムパワーデバイスのインパクトと
実用化に向けた開発動向

~期待を集めるGa2O3デバイスの基礎から開発事例、課題・展望を解説~

性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」。
材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望について、第一人者と気鋭のメーカが解説いたします。

このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2018年4月24日(火)  11:00~16:20
会場 東京・港区浜松町 芝エクセレントビル B1F KCDホール  
会場地図
受講料(税込)
48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 ) S&T会員登録について

定価:本体45,000円+税3,600円

会員:本体42,750円+税3,420円

【キャンペーン!2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の24,300円)】
 ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
 ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
 ※他の割引は併用できません
備考資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

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講師

第1部 [11:00~15:00] ※12:40~13:20は昼食休憩
酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と開発動向および実用化展望
 (国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター センター長 東脇 正高 氏
 【講師紹介ページ】

第2部 [15:10~16:20]
ミストドライ成膜法を用いた酸化ガリウムパワーデバイスの開発と今後の展開
 (株)FLOSFIA 営業部 部長 井川 拓人 氏
 【経歴】
 2010年京大工学部、12年京大院電子工学修士。京都大学藤田静雄研究室にてミストCVD技術開発に従事。
 在学中の2011年、FLOSFIA設立のファウンダーとして現社長とともに事業運営に参画。
 2012年伊藤忠商事に入社、オーストラリア駐在を経て、2017年1月よりFLOSFIAに復帰、営業部長に就任。

プログラム

第1部 酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と開発動向および実用化展望

【講演趣旨】
 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
 本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。

【得られる知識】
 ・Ga2O3物性の基礎知識
 ・バルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)などの
  各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

【プログラム】
 1.はじめに
   1.1 Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
   1.2 将来的なGa2O3デバイスの用途

 2.Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
   2.1 単結晶バルク融液成長
   2.2 単結晶Ga2O3ウェハー

 3.Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
   3.1 MBE成長
   3.2 HVPE成長

 4. Ga2O3トランジスタ開発
   4.1 横型MESFET
   4.2 横型DモードMOSFET
   4.3 横型フィールドプレートMOSFET
   4.4 横型EモードMOSFET
   4.5 縦型DモードMOSFET (CAVET)
   4.6 国内外他機関のGa2O3トランジスタ開発動向

 5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
   5.1 HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
   5.2 縦型フィールドプレートSBD
   5.3 国内外他機関のGa2O3ダイオード開発動向

 6. まとめ、今後の課題

 □ 質疑応答 □
 
第2部 ミストドライ成膜法を用いた酸化ガリウムパワーデバイスの開発と今後の展開
 
【講演趣旨】
 酸化ガリウム(Ga2O3)は、約5eVにも及ぶ広いバンドギャップを持つ半導体であり、超低損失パワーデバイスへの応用が期待できる魅力的な新材料である。また、低コスト化への取り組みも進んでおり、次世代パワーデバイスの本命材料とも
見られつつある。
 本講演ではFLOSFIAと京都大学がこれまで行ってきた取り組みや最新のデバイスデータについて発表する。

【プログラム】
 1.FLOSFIA会社概要

 2.α-Ga2O3について

 3.パワーデバイスとしてのこれまでの成果と課題
   3.1 世界トップデータのオン損失
   3.2 スイッチング損失の低減
   3.3 熱抵抗低減への取り組み
   3.4 FETへの取り組み
   3.5 コスト競争力

 4. FLOSFIAのビジネスモデルと今後のマーケット

 5. ミストドライ法紹介

 6. まとめ

 □ 質疑応答 □

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