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自動車用の電動化に向けた!
パワー半導体におけるパッケージ技術と
SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向
<2日間コースセミナー>

【2日間で、自動車電動化に向けたパワー半導体技術を徹底学習!】

■1日目:2/28(金) 自動車用に向けたパワー半導体のパッケージ技術 ~接続・封止・高耐熱・高放熱化~
■2日目:3/16(月) 自動車の電動化に向けた、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

本セミナーは、1日目を都合により中止といたしましたことにより、
セットでのお申し込みを停止いたしました。(2020.1.24更新)
※このページは、2/28,3/16 「パワー半導体セミナー2日間参加」のページです。
1日目と2日目で別の方(代理の方)のご出席も可能です。[ご申告は不要です。]

 


★1日目は、パワー半導体モジュールの実装技術、パッケージ技術、信頼性を学ぶ!
★2日目は、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス、高温対応実装など、パワーデバイス全般の最新技術動向を学ぶ!
日時 【1日目】 2020年2月28日(金)  10:30~16:30
【2日目】 2020年3月16日(月)  10:30~16:30
会場 【1日目】 東京・大田区平和島 東京流通センター 2F  第5会議室
会場地図
【2日目】 東京・品川区大井町 きゅりあん  5F 第2講習室
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
82,500円 ( S&T会員受講料 78,370円 ) S&T会員登録について
定価:本体75,000円+税7,500円
会員:本体71,250円+税7,120円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で82,500円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額41,250円)
備考※資料・昼食付 (両日とも)
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

セミナー講演内容

【1日目 2月28日(金)10:30~16:30】
自動車用に向けたパワー半導体におけるパッケージ技術
~接合・接続・封止・高信頼性化・高耐熱化・高放熱化~ <半導体パッケージコース>

<趣旨>

 最新のパワーエレクトロニクスは、地球環境対策や電力消費削減対策に貢献する技術であり、我が国が世界をリードできる分野である。本セミナーでは、パワー半導体のパッケージ技術全般から、さらに自動車(EV/HEV)への適用に焦点をあて、小型化・高信頼性化を実現するパッケージ技術について詳細に述べる。また、次世代パワー半導体として注目されているSiCについても紹介する。

<得られる知識・技術>
大電力・高耐圧を扱うパワー半導体の実装技術(接合・封止・絶縁・放熱技術)および信頼性技術。
また、パワーエレクトロニクスと半導体の関係などの知識。

<プログラム>
1.パワーエレクトロニクスとパワー半導体

 1.1 パワーエレクトロニクスの重要性
 1.2 パワーエレクトロニクス機器の要求性能
 1.3 パワー半導体を取り巻く環境

2.パワー半導体モジュールの実装技術
 2.1 パワー半導体モジュールの構造と機能
 2.2 パワー半導体モジュールに対する要求性能
 2.3 WBG半導体の動向

3.パワー半導体モジュールのパッケージ技術
 3.1 接合技術
 3.2 接続技術
 3.3 封止技術
 3.4 絶縁技術
 3.5 放熱技術

4.信頼性
 4.1 モジュールの破壊メカニズム
 4.2 高信頼性化の取組み事例

5.まとめ

  □質疑応答・名刺交換□

 
【2日目 3月16日(月)10:30~16:30】
自動車電動化に向けた、SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向
~最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで~ <最新動向コース>

<趣旨>

 近年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となっている。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化してきている。
 EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。

<得られる知識、技術>
過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体ならびにSiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

<プログラム>
1.パワーエレクトロニクスとは?

 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 高周波化のメリット
 1.5 Si-MOSFET・IGBTの伸長
 1.6 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の今と将来
 2.2 IGBT開発のポイント
 2.3 IGBT特性改善を支える技術
 2.4 薄ウェハ化の限界
 2.5 IGBT特性改善の次の一手
 2.6 新しいコンセプトのIGBT(RC-IGBT)開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 SiCのSiに対する利点
 3.4 なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか?
 3.5 SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
 3.6 SiCウェハができるまで
 3.7 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.8 最近のSiC-MOSFETトピックス
 3.9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
 3.10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
 3.11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3.12 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET  

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイスの構造
 4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4.4 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4.5 ノーマリ-オフ特性
 4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4.7 GaN-HEMTの課題
 4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4.9 縦型GaNデバイスの最新動向
 4.10 縦型SiC.vs.縦型GaNの行くえ

5.高温対応実装技術
 5.1 高温動作ができると何がいいのか
 5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5.3 パワーデバイスの動作パターン
 5.4 パワーデバイス動作中の素子破壊例
 5.5 信頼性設計とシミュレーションの活用

6.まとめ

  □質疑応答・名刺交換□