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【オンデマンド配信】
限界まで進化する半導体微細化の技術動向と
新たな情報担体デバイスの
展望および材料・技術への波及予測


このセミナーは 講師と直接Q&Aもできる セミナーの映像収録です[2022年3月29日収録]
視聴期間は営業日で10日間で、お申込み完了後すぐにご視聴いただけます

 
※ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい
 
「JSTさきがけ:情報担体とその集積のための材料・デバイス・システム」にて研究総括を務める若林先生による講演。
MOSFET、CMOSといった基礎から始まり、ISSCC 2022やiedm2021などの各種国際学会・国際会議での発表や演者の研究成果などから
ナノシート構造、積層FET/3D Stacked、2D FET/2Dマテリアルなど、微細化の最新動向を追跡。
情報担体への横展開として、新規メモリ動向・イメージセンサ、パッケージ/LMC、チップレット、
光トランシーバ、6G、量子プロセッサーなども概観していきます。
 
[キーワード]ISSCC 2022/ iedm2021/ SSDM2021/ IEEE
日時 2022年8月30日(火)  23:59まで申込み受付中/【収録日:2022年3月29日(火) 】※映像時間:4時間7分
会場 Webセミナー(会社・自宅にいながら受講可能)  【視聴期間:お申込み日から営業日10日後まで】
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受講料(税込)
各種割引特典
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備考※WEBセミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。
※講師の所属などは、収録当時のものをご案内しております

セミナー講師

東京工業大学 工学院 電気電子系 博士(工学) 教授 若林 整 氏
東京工業大学大学院修士課程修了、NEC(株)、ソニー(株)を経て、東京工業大学工学院電気電子系教授。地球インクルーシブセンシング研究機構機構長兼務。
・IEEE, EDS BoG Members-at-Large
・日本MOT学会・理事
・JSTさきがけ「情報担体」研究総括

セミナー趣旨

 ロジックLSIやDRAM, NAND Flashなどへの応用に向けた先端LSI向けデバイス技術について、デバイス動作の基礎から、限界まで進化する半導体微細化の技術動向と、さらに、新たな情報担体デバイスの展望および材料・技術への波及予測について紹介する。

セミナー講演内容

1.微細化技術基礎(FinFETまで)
 
1.1 MOSFETの基本動作
 1.2 CMOS構造・回路・レイアウト
 1.3 微細化による高速化、低消費電力化、集積化、低コスト化
 1.4 極微細MOSFETの評価方法
 1.5 ムーアの法則とスケーリング、微細化の限
 1.6 トランジスタの進歩:新材料領域へ 
 1.7 FinFET技術の動向 Intel,Samsung,TSMC など
   [overlay,SADP,EUV,SDB,Dual CPP など]
 1.8 FinFETを用いたLSI

2.微細化技術最新動向
iedmやISSCC、IEEE、SSDMでの発表や講師の研究成果について、プロセス工数・コストの見解なども含めながら
プロセス・材料の動向や課題、展望などの見解を紹介。
 2.1 NS(ナノシート)構造 
  ・Intel,Samsung,TSMC,IBM imec など
  ・MBCFET(Multi-bridge channel to enlarge)
  ・Gate-all-around (GAA) nano-sheet
 2.2 積層FET/3D Stacked
 2.3 2D FET/2Dマテリアル 

3.将来技術
 
3.1 情報担体への横展開
  ・DRAM(HBM、GDDR6)
  ・NAND Flash
  ・Phase Change Memory (PCM)
  ・Resistive RAM (RRAM, ReRAM),
  ・Magnetic RAM (MRAM)
  ・Ferroelectric RAM (FRAM, FeRAM)
  ・新規メモリの比較:特徴を生かした市場を形成
  ・イメージセンサ、パッケージ/LMC、チップレット、光トランシーバ、6G、量子プロセッサー
  ・集積回路技術のさらなる発展
 3.2 業界動向