セミナー

【期間限定:講演収録でも講師とQ&Aもできる!】
【WEBセミナー:オンデマンド配信】

ALD(原子層堆積法)の基礎と高品質膜化および最新動向

~今、ホットで注目のALDを基礎から学びます。高品質化・最適化へ~

このセミナーは、講師と直接Q&Aもできる、セミナーの映像収録(2020年3月30日収録)です。​
※お申込み日から14日間ご視聴いただけます。テキストはすぐ送付します。
※このセミナーに関する質問に限り、講師と個別Q&Aをすることができます(Zoomなどで15分程度)。
★ 再開催のご要望にお応えし、期間限定で講演収録で受講できます!個別でのQ&Aも許諾いただいております。
★ 大好評!通算第7回。今回はさらに1時間ボリュームUP!霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く解説いたします。
★ CVDの速度論からALDプロセス開発・製品応用へ。
★ CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養い、ALDプロセスの理想と実際を徹底解説!
日時 2020年7月31日(金)  23:59まで申込み受付中/【収録日:2020年3月30日(月)10:00~17:00】※視聴時間:5時間16分
会場 Webセミナー ※会社・自宅にいながら学習可能です※  【視聴期間はお申込み日から14日間です。】
会場地図
講師 東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣 幸浩 氏

【専門】 反応工学・材料工学
【主な研究内容】
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発
【活動】
・1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
・2007年より,化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与
・2014年開催ALD国際学会実行委員長
【講師WebSite】
http://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp (研究室)
http://www2.scej.org/cre/cvd/index.html (CVD反応分科会)
受講料(税込)
各種割引特典
35,200円 ( S&T会員受講料 33,440円 ) S&T会員登録について
定価:本体32,000円+税3,200円
会員:本体30,400円+税3,040円
備考※資料付(3営業日以内に印刷・発送します)
※Webセミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。
【期間限定:講師とQ&Aもできる、講演収録済みWEBセミナー(オンデマンド配信)とは?】
以下の流れ・受講内容となります。

 ・録画セミナーの動画をお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
 ・申込み後すぐに視聴可能です(事前に「会員ログイン」または「新規会員登録」し、申込みされた場合のみ)。
  S&T会員マイページ(無料)にログインいただき、ご視聴ください。
   ※会員ログインまたは新規会員登録せずに申込みされた場合は、
    営業日3日後までに弊社にてマイページに設定し、閲覧通知のE-Mailをお送りいたします。
 ・視聴期間は申込日より14日間です。
  ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
 ・セミナー資料は印刷・送付(データ配布禁止)いたしますので、視聴開始後に届きます。
  (申込み日から営業日3日までにすぐに発送いたします。)
 ・このセミナーに関する質問に限り、後日に講師とZoomなどを活用して個別Q&Aをすることができます(15分程度)。
  具体的には、セミナー資料に講師のメールアドレスを掲載していますので、セミナーに関する質問がございましたら
  先ずは講師に直接メールでアポイントメント後、ZoomなどTV会議システムでQ&Aをしてください。
  (継続的なメールでのQ&Aではなく、短時間ミーティングによるQ&Aを講師が希望しています。)
下記受講条件をご確認ください。
(1)S&T会員登録が必須になります(マイページ機能を利用するため)
  映像視聴、各種データのダウンロードなどにS&T会員マイページ機能(無料)を利用します。
  会員情報のご登録は、セミナー申込み時、または >>こちら よりお手続きいただけます。
   ※弊社案内(E-Mail,DM)を希望されない方はS&T 会員登録の際、案内方法欄のチェックを外してください。
    なお、案内希望チェックがない場合、会員価格(5%OFF)は適用できません。
    【会員価格5%OFFは、受講者全員がE-MailまたはDM案内希望の場合のみ適用】
(2)動画視聴・インターネット環境をご確認ください
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  以下のサンプル動画が閲覧できるかを事前にご確認いただいたうえで、お申し込みください。 
■サンプル動画■

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(3)申込み後、すぐに視聴可能なため、Webセミナーのキャンセルはできません。予めご了承ください。

セミナー趣旨

 Atomic Layer Deposition(ALD、原子層堆積法)による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition(CVD、気相薄膜形成法)と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
 このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力 を学ぶことが出来ます。

<プログラム>
■第1部 薄膜作製の基礎
1.薄膜作製入門
 1.1 薄膜の種類と用途
 1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
 1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
 1.4 PVDとCVD、ALD

2.真空の基礎知識
 2.1 真空度とは
 2.2 平均自由行程とクヌッセン数
 2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計

3.PVDプロセス
 3.1 真空蒸着の基礎
 3.2 スパッタリング

■第2部 ALD/CVDプロセスの反応機構と速度論
4.ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
 4.1 CVDプロセスの素過程
 4.2 CVDプロセスの速度論
  4.2.1 製膜速度の温度依存性-表面反応律速と拡散律速
  4.2.2 製膜速度の濃度依存性-1次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
 4.3 CVDプロセスの均一性

5.表面・気相の反応機構解析入門
 5.1 素反応機構と総括反応機構
 5.2 気相反応の第一原理計算と精度
 5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析

■第3部 ALDプロセスの基礎と展開
6.ALDプロセスの基礎
 6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
 6.2 ALDプロセスの理想と現実
  6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
  6.2.2 ALDプロセスの均一性
  6.2.3 ALDプロセスの量産性

7.ALDプロセスの応用と展開
 7.1 ALDプロセスの応用用途
 7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
  7.2.1 Quartz Crystal Microbalance(QCM)によるその場観察と最適化
  7.2.2 製膜遅れ時間(Incubation Time)の観測と最適化
 7.3 新しいALD技術
  7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
  7.3.2 Spatial ALD
  7.4 ALD国際会議について

■Q&A■
 このセミナーに関する質問に限り、後日に講師とZoomなどを活用して個別Q&Aをすることができます(15分程度)。
 具体的には、セミナー資料に講師のメールアドレスを掲載していますので、セミナーに関する質問がございましたら
 先ずは講師に直接メールでアポイントメント後、ZoomなどTV会議システムでQ&Aをしてください。
 (継続的なメールでのQ&Aではなく、短時間ミーティングによるQ&Aを講師が希望しています。)