セミナー

【京都開催】
レジストの材料・プロセスの
ノウハウ、最適化法、トラブル対処法

~レジスト材料および処理装置のデバイスへの適用~
~レジストプロセス条件の基本設定と最適化~
~レジスト分野の周辺技術~

教室を変更いたしました (更新 10月2日 11:00)
 
【変更後教室】京都リサーチパーク  西地区 4号館 B1F バンケットホールA
【変更前教室】京都リサーチパーク  西地区 4号館 2F ルームB 
フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥・・・・
各種トラブルに注目した評価・解決へのアプローチ
レジストコーティング方式の最適化、レジスト付着性の促進および低下要因、レジスト除去技術

レジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々は是非
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2018年10月11日(木)  10:30~16:30
会場 京都・京都市下京区 京都リサーチパーク  西地区 4号館 B1F バンケットホールA
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で48,600円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額24,300円) 
備考資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
得られる知識・レジスト材料および処理装置のデバイス適用分野での現状と問題点
・レジストプロセス条件の基本設定
・レジスト分野における周辺技術
・レジストユーザーとしての価値観 など
キーワード:レジスト、エッチング、表面エネルギー、原子間力顕微鏡、パターン欠陥、付着性、コーティング 

セミナー講師

長岡技術科学大学 電気電子情報工学専攻 電子デバイス・フォトニクス工学講座 教授 博士(工学) 河合 晃 氏
アドヒージョン(株)(研究成果活用企業(大学ベンチャー))代表取締役兼務

 略歴:三菱電機(株)ULSI研究所での勤務を経て、現職にてリソグラフィ、コーティング、表面界面、プロセス技術の研究開発に従事。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。原著論文150報以上、国際学会100件、特許出願多数。
【講師紹介】

セミナー趣旨

 現在、フォトレジストは、産業の様々な分野で広く利用されています。しかし、その高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、フォトレジストユーザーの要求も幅広くなり、フォトレジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。

 本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。
初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。

セミナー講演内容

1.レジスト・リソグラフィ入門(これだけは習得しておきたい)
 ・リソグラフィプロセスの基礎
  (プロセスフロー、レジスト材料、ポジ型/ネガ型レジスト、光化学反応メカニズム、
   パターン現像、露光システム、レイリ―の式、解像力、焦点深度)
 ・レジストコントラストで制御する
  (光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、現像コントラスト、パターン断面形状改善)
 ・レジストコーティング方式の最適化
  (粘度、スピンコート、塗布むら対策、スキャンコート、スプレーコート、減圧ベーク、乾燥むら)

2.レジストトラブルの発生メカニズムと対策(最短でのトラブル解決のために)
 ・レジスト付着性の促進および低下要因とは
  (表面エネルギー、凝集力、応力緩和、応力集中、溶液浸透、検査用パターン)
 ・表面エネルギーからレジスト付着性が予測できる
  (濡れ性、Youngの式、表面エネルギー、分散と極性、Young‐Dupureの式、
   付着エネルギーWa、拡張係数S、円モデル、付着性と密着性の差)
 ・ドライ中での付着性は溶液中と逆の結果になる
  (軟化点効果、極性成分γp効果、最適条件の設定方法)
 ・過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる
  (最適な処理温度と処理時間、装置設計)
 ・パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい
  (アンダーカット形状、応力解析、応力集中効果、熱応力)
 ・レジスト膜の応力をin‐situ測定する
  (減圧処理、応力緩和と発生、溶剤乾燥、拡散モデル)
 ・レジスト膜の膨潤を計測する
  (アルカリ液の浸透、クラウジウス・モソティの式、屈折率評価、導電性解析)
 ・レジスト膜の欠陥発生メカニズムと対策
  (環境応力亀裂、ピンホール、膜はがれ)
 ・ドライフィルムレジスト(DFR)の付着性
  (メッキ時のEavas不良、バブル対策)
 ・ナノインプリントにおける剥離残差対策
  (疎水化による離型処理、付着性解析)
 ・ウォーターマーク(乾燥痕)はこうして発生する
  (乾燥メカニズム、液体内の対流効果、ピンニング)
 ・レジスト表面の微小気泡対策
  (気泡のピンニング効果、エネルギー安定性解析)
 ・レジスト欠陥対策
  (フィルタリングの基礎、ミスト、凝集異物)

3.レジスト材料プロセスの高品位化(高付加価値のレジストを目指す)
 ・微小パターンの物性
  (表面サイズ効果、高分子集合体、ナノウェット効果)
 ・レジストパターン1個の付着力を実測する
  (DPAT法、計測感度、ナノサイズの付着力の実験式)
 ・レジスト膜表面にはナノ硬化層が存在する
  (AFMインデンテーション法、断面硬化層分布、LER評価)
 ・レジスト平坦性(平坦化の要因、計測評価法)
 ・レジスト膜の超薄膜化(シングルナノ膜厚の形成)
 ・レジスト除去技術(ドライ、ウェット、残渣除去)

4.技術開発および各種トラブル相談
 (日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます)