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May 8, 2017
半導体デバイス製造工程の基礎
～全体俯瞰と個々のプロセス技術の理解および最近の動向の把握～
■前工程から後工程、デバイス・材料技術、信頼性への影響■
■何が変わってきたのか、何が求められているのか■
■今求められるプロセス技術とそれに用いられる材料とは■
■半導体デバイス製造技術の総合知識■
受講可能な形式：【Live配信】のみ
個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化を俯瞰
最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術と
それに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説
AI、5G、IoT等の要求により何が変わってきたのか、何が求められているのか
半導体デバイス製造技術、プロセスの
「これまで」「いま」「これから」の整理・把握と全体像の一気通貫での理解
最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術と
それに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説
AI、5G、IoT等の要求により何が変わってきたのか、何が求められているのか
半導体デバイス製造技術、プロセスの
「これまで」「いま」「これから」の整理・把握と全体像の一気通貫での理解
| 日時 | 2023年3月31日（金） 10:30～16:30 |
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|---|---|---|
| 会場 | Live配信セミナー(会社・自宅にいながら受講可能) |
会場地図 |
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受講料(税込)
各種割引特典
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49,500円
( E-Mail案内登録価格 46,970円 )
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円
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| ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料( 定価：39,600円／E-mail案内登録価格 37,620円 ) 39,600円 ( E-mail案内登録価格 37,620円 ) 定価：本体36,000円＋税3,600円 E-mail案内登録価格：本体34,200円＋税3,420円 ※１名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。 |
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E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円) |
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| 配布資料 | PDFテキスト(印刷可・編集不可) | |
| オンライン配信 | ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください） セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページから お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」に お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。 開催日の【営業日２日前】より視聴用リンクと配布用資料のダウンロードリンクが表示されます。 | |
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
| 得られる知識 | 半導体の製造工程に関する一通りの知識 | |
| 対象 | 半導体関連の技術者、営業・マーケティング担当者等、入門者の方の知識習得や中堅の方の知識の整理など | |
セミナー講師
セミナー趣旨
半導体デバイスの製造方法を基礎から解説します。ウエハ上にトランジスタや配線を形成する前工程と、個片化してパッケージに組み立てる後工程それぞれについて、個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化まで俯瞰します。最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術とそれに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説します。
セミナー講演内容
１．半導体デバイスの基礎と最新動向
1.1 AI、5G、IoTについて
1.2 トランジスタの基礎
1.3 3次元トランジスタ
1.4 メモリの基礎と3DNAND
1.5 前工程と後工程
２．前工程
2.1 形作りの基本
2.2 半導体の基本モジュール
2.2.1 STI
2.2.2 トランジスタ
2.2.3 配線
2.3 個別プロセスの詳細
2.3.1 酸化
2.3.2 成膜
2.3.3 リソグラフィー
2.3.4 エッチング
2.3.5 CMP
2.3.6 洗浄
３．後工程
3.1 パッケージの種類と構造
3.1.1 リードフレームを用いるパッケージ
3.1.2 パッケージ基板を用いるパッケージ
3.1.3 ウエハレベルパッケージ
3.1.4 SIP
3.2 個別プロセスの詳細
3.2.1 裏面研削
3.2.2 ダイシング
3.2.3 ダイボンディング
3.2.4 ワイヤボンディング
3.2.5 モールディング
3.2.6 バンプ形成
3.3 最新パッケージ技術
3.3.1 FOWLP
3.3.2 CoWoS
3.3.3 部品内蔵基板
□質疑応答□
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