Hattori Consulting International　代表　工学博士　服部 毅　氏

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専門：半導体工学
【略歴】
ソニー株式会社に30年余り勤務し、半導体部門で基礎研究、デバイス・プロセス開発から量産ライン（九州および米国テキサス州）の歩留まり向上まで広範な業務を担当。この間、本社経営/研究企画業務、米国スタンフォード大学 留学、同 集積回路研究所客員研究員なども経験。ウルトラクリーンテクノロジー研究室長、リサーチフェローを歴任。2007年に技術・経営コンサルタント、国際技術ジャーナリストとして独立し現在に至る。The Electrochemical Society (ECS)フェロー・終身名誉会員。ECS主催半導体洗浄技術国際会議組織・運営・論文委員。IMEC主催Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS)国際会議日本代表委員。IEEE主催半導体製造国際会議（ISSM）運営委員。SEMI　 日本地区スタンダード委員会委員。
　過去に、カリフォルニア大学バークレー校工学部生涯学習講座、大阪大学大学院基礎工学研究科、韓国漢陽大学大学院工学研究科などの非常勤講師や客員教授を歴任。

【主な著書】
「メガトレンド半導体2014-2023（日経BP社）」「表面・界面技術ハンドブック(NTS社)」「半導体・MEMSのための超臨界流体（コロナ社）」「シリコンウエーハ表面のクリーン化技術」および同改訂版の新編（リアライズ社、英語版はSpringer社）」「Developments in Surface Contamination and Cleaning Vol.9(共著、オランダElsevier)」、「半導体製造におけるウェット／ドライエッチング技術」（R&D支援センター、2022年新刊）など。
【その他メディア】
・マイナビニュースにて、世界半導体産業および技術最新情報執筆中（https://news.mynavi.jp/author/0001750/）
・セミコンポータル（ウェブサイト）「服部毅のエンジニア論点」連載
　https://www.semiconportal.com/archive/blog/insiders/hattori/
・週刊エコノミストに半導体産業動向記事随時執筆（無料公開）
　https://weekly-economist.mainichi.jp/search?q=%E6%9C%8D%E9%83%A8%E6%AF%85&da=all

　半導体デバイス（LSI）の超微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル（異物微粒子）や金属不純物、表面吸着化学汚染（有機汚染に代表されるケミカル・コンタミネーション）などさまざまな微小（少）な汚染物質が、半導体デバイスの歩留まりや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、その全てが汚染の発生源と言っても過言ではありません。このため、製造ラインのクリーン化（全工程にわたり、いかに汚染を防止し、シリコンウェーハ表面をクリーンに保つか）および洗浄（いかに汚染を除去するか）の重要性が一段と高まっています。洗浄工程は製造プロセスの中に繰り返し登場し最頻の工程になっている。しかし、半導体デバイスの微細化に伴い、洗浄も新材料・新構造への対応が迫られるとともに、洗浄・乾燥に起因する微細回路パターンの倒壊を始め、様々なトラブルが顕在化してきており、従来の洗浄技術にブレークスルーが求められている。
　本セミナーは、今までノウハウとして門外不出の内向きの技術領域として扱われてきた、歩留まり向上のための「先端半導体クリーン化技術および洗浄・乾燥技術」について、その基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にもわかりやすく、かつ具体的に解説します。
　いままで半導体の参考書では語られることの無かった先端半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策・除去手法についても多数の実例写真で紹介します。洗浄技術はリバースエンジニアリングで全く把握できず、参考書でもほとんど取り上げられない内容をカバーしております。

１．半導体クリーン化技術（シリコンウェーハ表面の汚染をいかに防止するか？）
　1.1 クリーン化の目的（なぜクリーン化すべきか）
　　1.1.1 歩留の科学、歩留習熟曲線
　　1.1.2 歩留低下要因－ランダム欠陥、システマテック欠陥
　　1.1.3 歩留予測－ポアソンモデルなどによる歩留予測曲線
　　1.1.4 最新動向：「チップレット」で歩留まり向上
　1.2 クリーン化の対象（何をクリーン化すべきか？）　
　　1.2.1 半導体微細化の年代推移
　　1.2.2 半導体製造におけるクリーンルーム空気清浄度の年代推移
　　1.2.3 ウェーハ搬送方式の年代推移
　　1.2.4 汚染発生源の年代推移
　　1.2.5 ミニエンバイロンメントの採用－SMIF、FOUP、完全自動化
　　1.2.6 最新情報：クリーンルーム革命、もはやSCRは不要
　　1.2.7 クリーンルームではなく「ウェーハ表面のクリーン化」の重要性
　　1.2.8 半導体製造において管理対象とすべき汚染の種類の年代推移
　　1.2.9 ウェーハ表面汚染の種類とデバイス特性への影響
　1.3 半導体表面クリーン化の手法（汚染をどのように防止すべきか？）
　　1.3.1 半導体製造におけるパーティクル汚染の実態
　   1.3.2 パーティクル汚染の低減防止策
　　1.3.3 半導体製造における金属汚染の実態
   　1.3.4 金属汚染の低減防止策
　　1.3.5 半導体製造における無機化学汚染の実態
  　 1.3.6 無機化学汚染の低減防止策
　　1.3.7 半導体製造における有機化学汚染の実態
　　1.3.8 有機化学低減防止策
　1.4 半導体クリーン化技術まとめ
　1.5 最先端の話題
　　1.5.1 超微細化にともなうナノパーティクル対策への挑戦
　　1.5.2 歩留まり向上のためのビッグデータ、AI、仮想計測の活用
 
２．半導体洗浄乾燥技術（シリコンウェーハ表面の汚染をいかに除去するか）
　2.1 半導体製造における洗浄技術の重要性
　　2.1.1 半導体デバイス製造フロー、プロセスフローにおける洗浄の位置づけ
　　2.1.2 製造工程でパーティクル低減に向けたウェット洗浄の役割
　2.2 表面汚染除去のメカニズム
　　2.2.1 パーティクル汚染除去のメカニズム
　　2.2.2 金属汚染除去のメカニズム
　　2.2.3 有機汚染除去のメカニズム
　2.3 ウェーハ表面洗浄手法
　　2.3.1 ウェーハ表面洗浄の歴史
　　2.3.2 RCA洗浄とその代替・改良技術
　　2.3.3 浸漬式洗浄の問題点
　　2.3.4 枚葉スピン洗浄の利点
　　2.3.5 SCROD洗浄
　　2.3.6 最新情報：SCROD洗浄を応用した超微細加工デジタルエッチング
　2.4 ウェーハ表面乾燥手法
　　2.4.1 ウェーハ乾燥方式の変遷
　　2.4.2 マランゴ二乾燥、ロタゴ二乾燥
　　2.4.3 ウオーターマーク発生とその対策
　2.5 回路パターン付きウェーハ洗浄の現状と課題
　　2.5.1 トランジスタ形成工程の洗浄の現状と課題
　　2.5.2 多層配線工程の洗浄の現状と課題
　2.6 ウェーハ大口径化に向けての洗浄の課題と展望
　2.7 超微細構造の洗浄の課題と解決策
　　2.7.1 純水の問題点―絶縁性、ウオーターマーク、高誘電性、金属溶解など
　　2.7.2 水の表面張力による微細パターン倒壊の実態
　　2.7.3 洗浄時の物理力による微細パターン倒壊の実態
　2.8 超微細構造にダメージを与えない洗浄・乾燥技術
　　2.8.1 二流体、メガソニックなどのダメジレスウェット洗浄
　　2.8.2 ＨＦべーパー、エアロゾル洗浄などのさまざまなドライクリーニング
　　2.8.3 超臨界流体洗浄・乾燥
　　2.8.4 究極の局所洗浄－レーザー、AFMプローブ、ナノピンセットなど
　2.9 洗浄・乾燥技術のまとめ
　2.10 最先端の話題
　　2.10.1 超微細化デバイスで採用される新材料新構造への洗浄技術の対応
　　2.10.2 半導体洗浄技術に関する２大国際会議紹介
　　2.10.3 最近の洗浄技術国際会議での最先端の話題

　□質疑応答□

※会場受講の方は休憩時間やセミナー終了後に、名刺交換や個別質問が可能です。