XPS(ESCA)の基礎と実践応用テクニック
X線光電子分光法の原理から測定・解析の手順やコツ、ノウハウまで
受講可能な形式:【Live配信】のみ
間違った理解や手順で測定、解析を行っていませんか?"正しい"X線光電子分光法(XPS、ESCA)の使い方を解説
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 | 2023年3月24日(金) 10:30~16:30 |
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会場 | Live配信セミナー(会社・自宅にいながら受講可能) |
会場地図 |
受講料(税込)
各種割引特典
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( E-Mail案内登録価格 46,970円 )
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定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
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※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】 1名申込みの場合:受講料( 定価:39,600円/E-mail案内登録価格 37,620円 ) 39,600円 ( E-mail案内登録価格 37,620円 ) 定価:本体36,000円+税3,600円 E-mail案内登録価格:本体34,200円+税3,420円 ※1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。 |
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特典 | 【セミナー受講特典コンサルティング】 ※ コンサルティング料は受講料とは別になります。 セミナーに受講して名刺交換をさせて頂いた方への特典サービスとして、初回限定で限定特別料金にてコンサルティングをご利用いただけます。技術的な相談はもちろん、戦略相談、オンサイトセミナーなど、依頼条件を満たす限り原則として実施内容、方法に制限はありません。 技術コンサルティングには興味があるが利用したことがないので、どのようなものか良くわからず正式依頼に踏み切れない、決裁を取るために一度ディスカッションしたいという方は、是非この機会に、JRLのコンサルティングを御体験ください。限定特典ではありますが、必ず満足のいただける内容でお応えします。 <依頼条件> ・初回1回のみ ・セミナー実施日より3カ月以内に依頼が成立 ・コンサルティング実施時間:4時間程度まで ・費用:場所、内容によらず定額の限定受講特典(交通費は、別途ご負担下さい) | |
配布資料 | ・製本テキスト(開催前日着までを目安に発送) ※セミナー資料は開催日の4~5日前にお申し込み時のご住所へ発送致します。 ※間近でのお申込みの場合、セミナー資料の到着が開催日に間に合わないことがございます。 | |
オンライン配信 | ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) | |
備考 | ※講義の録音・録画・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
主催者より | 【受講に際しての注意事項】 大変申し訳ございませんが、講師とご同業(経営・人事研修・技術コンサルタント、またはこれに類する事業を手掛けている等)の方のご参加はお断り申し上げます。 | |
得られる知識 | ・表面分析の基礎 ・表面分析の考え方と活用法 ・XPSの手法基礎 ・測定のコツ、ポイント ・解析のコツ、ポイント | |
対象 | ・研究開発部門、分析部門、製造部門、品質保証部門など技術部門全般 ・若手から中堅を中心とした担当者 ・XPSの教育を行うリーダー、マネージャー |
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セミナー講師
セミナー趣旨
表面、界面はあらゆる技術や製品の基盤となるものであり、現在扱われる材料やプロセス、技術、商品で表面や界面が関与していないものは無いと言っても過言ではありません。そのため様々な分析手法が開発されているが、その中の代表がX線光電子分光法(XPS、ESCA)です。装置の発達で測定は比較的容易になってきているとはいえ、それと共に間違った理解や手順で測定、解析を行い、正しい情報が得られていないケースが増えています。
本講では、表面、界面の基礎から、XPSの原理・基礎はもちろん、測定、解析の手順、技術的テクニック、コツやノウハウまで応用事例を交えて解説します。
本講では、表面、界面の基礎から、XPSの原理・基礎はもちろん、測定、解析の手順、技術的テクニック、コツやノウハウまで応用事例を交えて解説します。
セミナー講演内容
1・表面とは
1.1 表面・界面の重要性
1.2 表面(薄膜)とは?
1.3 XPSで分析する表面の要素
1.4 XPSが対象とする表面現象
2.表面分析の分類
2.1 表面分析に用いる主な手法と選び方
2.2 表面・微小部の代表的分析手法
3.サンプルの取り扱い
3.1 表面分析の心構え
3.2 サンプリング
3.3 サンプリング(粉末)
3.4 裏表の表示
3.5 汚染の例
4.XPSの基本
4.1 光電子の発生
4.2 XPSの原理と特徴
4.3 XPSの検出深さ
4.4 Binding Energy の規則性
4.5 XPS装置の基本構造
4.6 X線源
4.7 光電子アナライザー
4.8 ワイドスキャン(サーベイスキャン)
4.9 ナロースキャン(代表的な元素)
4.10 バックグラウンド
4.11 エネルギー損失ピーク
4.12 シェイクアップサテライト
4.13 電荷移動サテライト
4.14 金属ピークの非対称性
4.15 サテライトピークの利用
5.測定条件
5.1 より正確な定量値を得るために
5.2 積算回数
5.3 パスエネルギーの影響
5.4 ピークの重なり
6.チャージアップ対策
6.1 チャージアップとは
6.2 チャージアップの影響と対応
6.3 帯電中和のメカニズム
6.4 電子-Arイオン同軸照射型帯電中和機構
6.5 中和銃の設定例
6.6 チャージアップ補正条件
6.7 化学状態による違い
6.8 チャージアップへの工夫
7.解析の基本
7.1 バックグラウンド処理
7.2 XPSにおける定量
7.3 感度係数
7.4 相対感度係数の例
7.5 より正確な定量値を得るために
7.6 スペクトルのピーク分離
7.7 ピーク分離のテクニック
8.化学状態解析
8.1 元素同定
8.2 化学状態の同定(C1s)
8.3 C1sケミカルシフト
8.4 ポリマーの分析例
8.5 金属の価数評価
8.6 ケミカルシフトの注意点
8.7 チタンの化学状態
9.構造解析
9.1 異なる構造のTi2p
9.2 バレンスバンドの活用
9.3 例(アナターゼ&ルチル)
9.4 異なる構造のバレンスバンド
9.5 アナターゼ/ルチル比
9.6 アナターゼ/ルチル混合比
9.7 XRDとの比較
9.8 XPSによる混合比解析と光活性
9.9 XPSによる光活性解析
9.10 価電子帯スペクトルの活用
9.11 オージェピークの活用
9.12 オージェパラメーターの活用
10.深さ方向分析
10.1 角度変化法
10.1.1 XPSにおける分析深さ
10.1.2 角度変化測定による深さ方向分析
10.1.3 IMFPの計算
10.2 イオンエッチング
10.2.1 イオン銃の基本構造
10.2.2 デプスプロファイルのワークフロー
10.2.3 エッチレートの決定
10.2.4 試料の回転
10.2.5 デプスプロファイル測定の設定のポイント
10.2.6 イオンエッチングダメージ
10.2.7 酸化膜の深さ方向分析
10.2.8 イオンエッチングによるクロスコンタミ
10.3 測定ダメージとその抑制
10.3.1 ポリマーへのArイオン照射
10.3.2 イオンエッチングダメージ
10.3.3 クラスターイオン銃
10.3.4 エッチング条件と効果
10.3.5 エッチング条件とスパッタレート
10.4 HAXPES
11.イメージング
11.1 Si基板上のCrパターンのマッピング
11.2 Atomic% Mapping
11.3 マッピングとパラレルイメージング
11.4 イメージング測定の例
12.ハイブリッド分析
12.1 ハイブリッド分析
12.2 XPSによる光触媒の解析
12.3 XPS&ラマン
12.4 光活性とXPS、ラマン解析結果
13.その他補足
13.1 界面で正体不明のピークシフト
13.2 再汚染の影響(Si基板)
13.3 参考文献等
13.4 ちょっと便利なサイトやソフト
14.解析の実例
14.1 XPSによる紫外線照射PIの解析
14.2 表面構造変化の解析(XPS)
14.3 気相化学修飾法
15.まとめ
16.質疑
1.1 表面・界面の重要性
1.2 表面(薄膜)とは?
1.3 XPSで分析する表面の要素
1.4 XPSが対象とする表面現象
2.表面分析の分類
2.1 表面分析に用いる主な手法と選び方
2.2 表面・微小部の代表的分析手法
3.サンプルの取り扱い
3.1 表面分析の心構え
3.2 サンプリング
3.3 サンプリング(粉末)
3.4 裏表の表示
3.5 汚染の例
4.XPSの基本
4.1 光電子の発生
4.2 XPSの原理と特徴
4.3 XPSの検出深さ
4.4 Binding Energy の規則性
4.5 XPS装置の基本構造
4.6 X線源
4.7 光電子アナライザー
4.8 ワイドスキャン(サーベイスキャン)
4.9 ナロースキャン(代表的な元素)
4.10 バックグラウンド
4.11 エネルギー損失ピーク
4.12 シェイクアップサテライト
4.13 電荷移動サテライト
4.14 金属ピークの非対称性
4.15 サテライトピークの利用
5.測定条件
5.1 より正確な定量値を得るために
5.2 積算回数
5.3 パスエネルギーの影響
5.4 ピークの重なり
6.チャージアップ対策
6.1 チャージアップとは
6.2 チャージアップの影響と対応
6.3 帯電中和のメカニズム
6.4 電子-Arイオン同軸照射型帯電中和機構
6.5 中和銃の設定例
6.6 チャージアップ補正条件
6.7 化学状態による違い
6.8 チャージアップへの工夫
7.解析の基本
7.1 バックグラウンド処理
7.2 XPSにおける定量
7.3 感度係数
7.4 相対感度係数の例
7.5 より正確な定量値を得るために
7.6 スペクトルのピーク分離
7.7 ピーク分離のテクニック
8.化学状態解析
8.1 元素同定
8.2 化学状態の同定(C1s)
8.3 C1sケミカルシフト
8.4 ポリマーの分析例
8.5 金属の価数評価
8.6 ケミカルシフトの注意点
8.7 チタンの化学状態
9.構造解析
9.1 異なる構造のTi2p
9.2 バレンスバンドの活用
9.3 例(アナターゼ&ルチル)
9.4 異なる構造のバレンスバンド
9.5 アナターゼ/ルチル比
9.6 アナターゼ/ルチル混合比
9.7 XRDとの比較
9.8 XPSによる混合比解析と光活性
9.9 XPSによる光活性解析
9.10 価電子帯スペクトルの活用
9.11 オージェピークの活用
9.12 オージェパラメーターの活用
10.深さ方向分析
10.1 角度変化法
10.1.1 XPSにおける分析深さ
10.1.2 角度変化測定による深さ方向分析
10.1.3 IMFPの計算
10.2 イオンエッチング
10.2.1 イオン銃の基本構造
10.2.2 デプスプロファイルのワークフロー
10.2.3 エッチレートの決定
10.2.4 試料の回転
10.2.5 デプスプロファイル測定の設定のポイント
10.2.6 イオンエッチングダメージ
10.2.7 酸化膜の深さ方向分析
10.2.8 イオンエッチングによるクロスコンタミ
10.3 測定ダメージとその抑制
10.3.1 ポリマーへのArイオン照射
10.3.2 イオンエッチングダメージ
10.3.3 クラスターイオン銃
10.3.4 エッチング条件と効果
10.3.5 エッチング条件とスパッタレート
10.4 HAXPES
11.イメージング
11.1 Si基板上のCrパターンのマッピング
11.2 Atomic% Mapping
11.3 マッピングとパラレルイメージング
11.4 イメージング測定の例
12.ハイブリッド分析
12.1 ハイブリッド分析
12.2 XPSによる光触媒の解析
12.3 XPS&ラマン
12.4 光活性とXPS、ラマン解析結果
13.その他補足
13.1 界面で正体不明のピークシフト
13.2 再汚染の影響(Si基板)
13.3 参考文献等
13.4 ちょっと便利なサイトやソフト
14.解析の実例
14.1 XPSによる紫外線照射PIの解析
14.2 表面構造変化の解析(XPS)
14.3 気相化学修飾法
15.まとめ
16.質疑
このセミナーは終了しました。