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徹底解説 パワーデバイス

~Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの技術開発動向と将来展望~

受講可能な形式:【Live配信】のみ

パワーデバイス:Si、SiC、GaN、Ga2O3 について徹底解説!
各種パワーデバイスの優位性・課題・将来展望とは・・・
日時 2023年1月23日(月)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー(会社・自宅にいながら受講可能)  
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受講料(税込)
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※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
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※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
得られる知識・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
対象パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
初心者の受講でも問題ない

セミナー講師

グリーンパワー山本研究所  所長 山本 秀和 氏
【兼任および経歴】
・FTB研究所 特別顧問
・パワーデバイスイネーブリング協会 理事
・千葉工業大学付属研究所 共同研究員
・元 千葉工業大学教授
・元 三菱電機パワーデバイス開発部長
【専門】
半導体デバイス、半導体結晶

セミナー趣旨

 パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状90%以上がSiを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

セミナー講演内容

1.パワーエレクトロニクス/パワーデバイス産業
  1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
  1.2 パワーデバイスの用途と産業構造

2.パワーデバイスの構造と高性能化
  2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
  2.2 パワーデバイスの高性能化

3.Siパワーデバイスの優位性と課題
  3.1 Siパワーデバイスの優位性
  3.2 Siパワーデバイスの課題

4.SiCパワーデバイスの優位性と課題
  4.1 SiCパワーデバイスの優位性
  4.2 SiCパワーデバイスの課題

5.GaNパワーデバイスの優位性と課題
  5.1 GaNパワーデバイスの優位性
  5.2 GaNパワーデバイスの課題

6.Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
  6.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性
  6.2 Ga2O3パワーデバイスの課題

7.パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
  7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
  7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

  □ 質疑応答 □