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【Live配信(リアルタイム配信)】

今注目のALD(原子層堆積法)および
ALE(原子層エッチング)の基礎と応用

本セミナーは、Zoomによる【Live配信受講】のみです。
※詳細につきましては下記「オンライン配信」の項目をご確認ください。
★ アトミックレイヤー・デポジション、アトミックレイヤー・エッチングを基礎から解説!
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2022年9月2日(金)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー(会社・自宅にいながら受講可能)  
会場地図
講師 奈良先端科学技術大学院大学 教授 浦岡 行治 氏
【経歴】
1985年 松下電器産業株式会社(現パナソニック)半導体研究センター
1995年 同社 液晶開発センター
1999年 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助教授
2009年 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 教授
・応用物理学会フェロー
・IEEE シニアメンバー
・IEEE/EDS 関西支部チェアー
・IEEE/AMFPD 実行委員長
・薄膜材料デバイス研究会組織委員
【WebSite】
https://mswebs.naist.jp/LABs/uraoka/PUBLIC/top/top.html
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​/1名あたり定価半額24,750円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:受講料( 定価:39,600円/E-mail案内登録価格 37,620円 )

 定価:本体36,000円+税3,600円
 E-mail案内登録価格:本体34,200円+税3,420円
1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
配布資料PDFデータ(印刷可/編集は不可)
※PDFデータは、セミナー開催日の2日前を目安にマイページからダウンロード可能になります。
オンライン配信ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
■最近よくあるお問い合わせ■
1.受講中の、カメラのON/OFF、マイクのON/OFFについて。
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  → 受講後でも構いません。お申込み時に振込み予定日を記入いただくか、決まり次第のご連絡で構いません。
備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー趣旨

 AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
 本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD(原子層堆積)技術やALE(原子層エッチング)技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積やエッチングの原理や材料について詳しく紹介する。また、ALDについては、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイス、太陽電池に応用した時の特長や課題についても紹介する。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
・薄膜形成・加工の物理・評価技術
・半導体プロセス技術
・半導体デバイス技術
・信頼性評価技術


<プログラム>
1.薄膜形成技術
 1.1 薄膜作製/加工の基礎
 1.2 薄膜の評価手法
  1.2.1 電気的評価
  1.2.2 化学的分析手法
  1.2.3 光学的評価手法

2.ALD技術の基礎
 2.1 ALD技術の原理
 2.2 ALD薄膜の特長
 2.3 ALD技術の歴史
 2.4 ALD装置の仕組み
 2.5 ALD技術の材料

3.ALD技術の応用
 3.1 パワーデバイスへの応用
 3.2 酸化物薄膜トランジスへの応用
 3.3 MOS LSIへの応用
 3.4 太陽電池への応用

4.ALE技術の基礎
 4.1 ALEの歴史
 4.2 ALEの原理

5.ALE技術の応用事例
 5.1 シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
 5.2 シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
 5.3 Co等金属膜への応用

6.ALD/ALE技術の課題と展望


  □質疑応答□