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【徹底解説】
半導体製造におけるエッチング技術の基礎知識と最新動向
 

~ドライ/ウェットエッチングの基礎とプロセス制御、原子層エッチング(ALE)の最前線~

微細化、三次元化が進む半導体においては、更なるエッチング技術の高精細化が必要不可欠!
そのためにはエッチングプロセスの制御がポイントとなってくる

様々なエッチング技術の開発に携わった経験豊富な講師がドライ/ウェットエッチング技術の基礎からプロセス制御の考え方、
実体験に基づくトラブル事例や最先端の原子層エッチング(ALE)、今後の課題についてわかりやすく解説します!
日時 2021年11月30日(火)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー ※会社・自宅にいながら受講可能です※  
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得られる知識・半導体デバイス製造の開発動向と先端課題
・ドライ/ウェットエッチングの基礎と各種材料のエッチング
・原子層エッチング(ALE)の原理と各種手法
対象・半導体デバイス/製造の若手技術者

セミナー講師

セミナー趣旨

 半導体集積回路の微細化・三次元化は益々進み、現在は原子層レベルの制御性が求められている。本講演では、半導体集積回路の製造に不可欠なエッチング技術について、ドライエッチングおよびウェットエッチングの原理から、装置、技術潮流、各種材料のエッチング技術、そして原子層エッチングの最前線までを、メーカで光デバイスのエッチングプロセスやシリコンLSI向け先端エッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かりやすく解説する。

セミナー講演内容

1.半導体デバイスのトレンド/構造/製造プロセス
 1.1 半導体デバイスのトレンド
 1.2 半導体デバイスの構造
 1.3 半導体デバイスの製造プロセス
 
2. 半導体製造プロセスにおけるエッチング
 2.1 エッチングプロセスの種類
 2.2 エッチングプロセス技術
 2.3 エッチングプロセスの課題
 
3. ドライエッチングの基礎及びプロセス技術
 3.1 ドライエッチング装置の種類及び特徴
 3.2 ドライエッチングプロセスの特徴・要点
 3.3 ドライエッチングの原理
 3.4 ドライエッチングにおけるプロセス制御の考え方
 3.5 ドライエッチング損傷
 3.6 各種材料のドライエッチング技術及びプロセス制御のポイント
    Si、SiO2、Si3N4、GaAs、InP、GaN
 
4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
 4.1 ウェットエッチングの原理
 4.2 ウェットエッチングの律速過程
 4.3 ウェットエッチングにおけるプロセス制御の考え方
 4.4 各種半導体のウェットエッチング技術及びプロセス制御のポイント
    Si、SiO2、Si3N4、GaAs、InP、GaN
 
5. 原子層エッチング(ALE)の基礎と最新技術
 5.1 原子層プロセス技術のトレンド
 5.2 原子層エッチングの基礎と分類
 5.3 有機金属錯体反応を用いた熱ALE
 5.4 プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
 5.5 ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
 5.6 フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE
 
6. 実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策
 
7. 今後の課題

  □ 質疑応答 □