セミナー 印刷

【Live配信(リアルタイム配信)】

ドライエッチング技術の基礎と
原子層エッチング(ALE)の最新技術動向

■最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術■
■原子層エッチング(ALE:アトミックレイヤーエッチング)技術■
■プラズマCVD、原子層堆積(ALD)プロセス、デジタル・トランスフォーメーション(DX)■

本セミナーは、Zoomによる【Live配信受講】のみです。
※詳細につきましては下記「オンライン配信」の項目をご確認ください。
★ 大きな注目を最先端半導体プロセス:ドライエッチング、ALE、ALD、プラズマCVD、DXまで徹底解説!
★ 基礎となる物理化学原理、表面反応機構から最新技術動向、マテリアルズ・インフォマティクスや機械学習まで!
★ 特にビジネスとしての動きが速い半導体業界。最新技術を俯瞰的に学ぶ!
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2021年8月30日(月)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー ※会社・自宅にいながら受講可能です※  
会場地図
講師 大阪大学 大学院工学研究科 教授 浜口 智志 氏
【経歴】
1982年東京大学理学部物理学科卒業
1987年同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
1988年ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
1988年-1990年テキサス大学物理学科核融合研究所(IFS) 研究員
1990年-1998年IBM ワトソン研究所主任研究員
1998年-2004年京都大学エネルギー科学研究科・助教授
2004年-現在 大阪大学工学研究科・教授
【学位】理学博士、Ph.D. in mathematics
【専門】プラズマ物理学、プラズマプロセス工学、核融合科学
【学会活動】国際真空科学技術応用国際連合(IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、Journal of Plasma Medicine 編集委員長、Journal of Physics D: Applied Physics 編集委員、プラズマ医療国際学会(IPMS)元会長、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)元分科会長、等
【受賞】2016:プラズマ賞・米国真空学会(AVS), 2012:米国物理学会(APS)フェロー、2011:AVSフェロー等
【WebSite】http://www.camt.eng.osaka-u.ac.jp/hamaguchi/
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​/1名あたり定価半額24,750円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:受講料( 定価:35,200円/E-mail案内登録価格:33,440円 ) 

35,200円 ( E-mail案内登録価格 33,440円 ) 
 定価:本体32,000円+税3,200円
 E-mail案内登録価格:本体30,400円+税3,040円
1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
配布資料PDFデータ(印刷可/編集は不可)
 ※PDFデータ、セミナー開催日の2日前を目安にWebからダウンロード可能になります。
オンライン配信ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
■最近よくあるお問い合わせ■
1.受講中の、カメラのON/OFF、マイクのON/OFFについて。
  → カメラは任意です、カメラが付いていなくても受講できます(OFFで構いません)。
  → 講義中はマイクOFF(ミュート)にしてください。質疑応答は、音声/チャット どちらでも質問ができます。
2.他の受講者に、所属を知られたくない。
  → Zoom入室の際、会社名を入れる必要はありません。名字(出席確認のため)だけで結構です。
3.開催日までに振込み(入金)が間に合わない。
  → 受講後でも構いません。お申込み時に振込み予定日を記入いただくか、決まり次第のご連絡で構いません。
備考※資料付 
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー趣旨

 本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
1.プラズマプロセスの基礎知識
2.ドライエッチングの基礎知識
3.原子層エッチング(ALE)の基礎知識と最新技術動向

<プログラム>
1.背景

2.プラズマ科学の基礎

3.代表的なプラズマプロセス装置

4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎
 4.1 プラズマ表面相互作用
 4.2 表面帯電効果
 4.3 シリコン系材料エッチング反応機構
 4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
 4.5 高アスペクト比(HAR)エッチング概要

5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として

6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として
 6.1 熱ALD
 6.2 プラズマ支援(PA-)ALD

7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
 7.1 PA-ALE
 7.2 熱ALE:リガンド交換
 7.3 熱ALE:金属錯体形成

8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)
 8.1 プロセス数値シミュレーションとTCAD(technical computer aided design)
 8.2 仮想計測(VM)とプロセス装置制御
 8.3 マテリアルズ・インフォマティクス
 8.4 プロセス開発における機械学習(ML)・AIの活用

9.まとめ


  □質疑応答□