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徹底解説 パワーデバイス

~Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの技術開発動向と将来展望~

パワーデバイス:Si、SiC、GaN、Ga2O3 について徹底解説!
各種パワーデバイスの優位性・課題・将来展望とは・・・
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日時 2021年2月24日(水)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー(リアルタイム配信) ※会社・自宅にいながら学習可能です※  
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配布資料配布資料:製本テキスト(開催前日着までを目安に発送)
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備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
得られる知識・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
対象パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
※初学者でもわかるように解説いたします
【ZoomによるLive配信】
  ・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。

  ・お申し込み後、接続確認用URL(https://zoom.us/test)にアクセスして
   接続できるか等ご確認下さい。

  ・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
  ・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  ・リアルタイムで講師へのご質問も可能です。
  ・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。

セミナー講師

千葉工業大学 工学部 教授 山本 秀和 氏
【専門】半導体デバイス、半導体結晶
【経歴】元 三菱電機(株)パワーデバイス開発部長
    現 パワーデバイスイネーブリング協会理事
 

セミナー趣旨

 パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
 本セミナーでは、Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

セミナー講演内容

1.パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
  1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造 
  1.2 パワーデバイスの用途と産業構造 

2.パワーデバイスの構造と高性能化 
  2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
  2.2 Siパワーデバイスの高性能化
  2.3 ワイドギャップ半導体の優位性

3.Siパワーデバイスの優位性と課題
  3.1 Siパワーデバイスの優位性
  3.2 Siウエハの300mm化
  3.3 微量不純物の制御

4.SiCパワーデバイスの優位性と課題
  4.1 SiCパワーデバイスの優位性
  4.2 SiC結晶およびパワーチップ製造の課題
  4.3 パワーモジュールの高温化

5.GaNパワーデバイスの優位性と課題
  5.1 GaNパワーデバイスの優位性
  5.2 横型GaNパワーデバイスの課題
  5.3 縦型GaNパワーデバイスの課題

6.Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
  6.1 α- Ga2O3パワーデバイスの優位性
  6.2 β- Ga2O3パワーデバイスの優位性
  6.3 Ga2O3パワーデバイスの課題

7.パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
  7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
  7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

  □ 質疑応答 □