Ⅰ　超精密加工技術の基礎編（１）
　　　―研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解―
　　　1. 超精密研磨（研削/ラッピング/ポリシング/CMP等）技術の位置づけ/必要性と適用例
　　　2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
　　　3. 各種機能性材料の超精密ポリシング ～コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて～
　　　　（ここで登場する被加工用基板; HD・光ファイバ用ガラス、Si,サファイア、GaAs, LT, 水晶、GGG,　SiC、有機結晶など）
 
Ⅱ　消耗資材・周辺加工技術の基礎編（２）
　　　―加工メカニズムからパッド・スラリー、コンディショニング、リサイクル技術を徹底理解の事例―
　　　1. 硬軟質二層構造パッド　－高精度高品位化パッドの考案・試作―
　　　2. ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
　　　3. レアアース対策としてのセリア代替の二酸化マンガン系砥粒　－ガラスの研磨事例―
　　　4. スラリーのリサイクル技術　
　　　　 4.1 ガラス/酸化膜CMP用セリアスラリーのリサイクル技術
　　　    4.2 メタルCMP用スラリーのリサイクル技術
　　　　（ここで登場する被加工用基板;　Si,　SiC,　HD用ガラス、メタルW,　GaNなど）
 
Ⅲ　超精密加工技術の応用編/将来加工技術（１）
　　　―超LSIデバイスの多層配線加工用の平坦化（プラナリゼーション）CMP技術の徹底理解―
　　　1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
　　　2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例－パッド・スラリーそして装置―
　　　3. パッドのドレッシング　－非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案―
　　　4. CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学（ｄ－EC）装置の紹介
　　　5. Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
　　　　（ここで登場する被加工用基板;　Si,　SiO2,　Cu,　W,　Co,　Ta, TaN, TiN,　など）
 
Ⅳ　超精密加工技術の応用編/将来加工技術（２）
　　―革新的高能率・高品質加工プロセス技術　－SiC・GaN/Diamond基板を対象として―
　　   1. 将来型加工技術に向けて
　　　　 1.1 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
　　　　 1.2 パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
         2. 革新的加工技術へのブレークスルー(2つの考え方)
　　　　 2.1 加工条件改良型ブレークスルー
            　　 ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
             2.2 挑戦型加工によるブレークスルー
           　　  将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
        　（ここで登場する加工用基板;SiC,　HD用ガラス、GaN, ダイヤモンド、サファイア、Si, SiO2など）
 
Ⅴ　今後の加工技術を捉える－深化するAIと“シンギュラリティ（技術的特異点）”を見据えて－
　　　重要三大加工技術のキーワード
          　　　超精密CMP融合技術、趙薄片化プロセス技術、大口径超精密ボンディング技術

　　□質疑応答・名刺交換□