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知っておきたいパワーデバイスの基礎と回路への適用

パワーデバイスとパワーエレクトロニクスの知識をうまく融合出来ていますか?理解できていますか?
デバイスの性能など物理的な知識とデバイス構造などの工学的な知識の相互関係を把握することでより深い理解を!!
「半導体物性」「デバイス構造と動作原理」「回路設計とデバイスの選定」
日時 2020年12月22日(火)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー(リアルタイム配信) ※会社・自宅にいながら学習可能です※  
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受講料(税込)
各種割引特典
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定価:本体45,000円+税4,500円
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配布資料配布資料:製本テキスト(開催前日着までを目安に発送)
     ※セミナー資料はお申し込み時のご住所へ発送させていただきます。
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      開催前日の営業日の夕方までに届かない場合はお知らせください。

     ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
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備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
得られる知識・パワーデバイスで動作の基礎となる半導体物性
・ 実際のデバイスMOSFET、IGBTの構造と動作原理・特性   
・回路での使いこなし・デバイス選定
対象※講演は、予備知識がなくても理解できるように構成しています
・パワーエレクトロニクスに関連する業務に新たに携わり始めた方、携わってきた方
・パワーエレクロトにクスに携わり、パワーデバイスについ学びたいと方
【ZoomによるLive配信】
  ・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  ・お申し込み後、接続確認用URL(https://zoom.us/test)にアクセスして
   接続できるか等ご確認下さい。

  ・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
  ・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  ・リアルタイムで講師へのご質問も可能です。
  ・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。

セミナー講師

東京工科大学 工学部 電子電気工学科 教授 髙木 茂行 氏
【専門】パワーエレクトロニクス、パワーデバイス、シミュレーション、排熱発電

セミナー趣旨

 自動車の電動化を加速する技術としてパワーエレクトロニクスの研究開発が活発化しています。その中で、パワーデバイスは理解・活用に戸惑う分野の一つと言われています。これは、次の異なる3分野の相互理解が必要となるためです。(1)動作の基礎となる半導体物性、(2)実際のデバイス構造と動作原理・特性、(3)回路での使いこなし・デバイス選定です。

 (1)が物理分野の領域であるのに対し、(3)はエンジニアリングの領域、(2)は(1)と(3)が結びついた領域です。各領域を深く学ぶだけでは、パワーデバイスを理解することはできません。そこで本セミナーでは、相互の関連に説明しながら、(1)~(3)について1日で講演します。本講演び受講により、パワーデバイスの幹となる知識を習得することができます。

セミナー講演内容

1.パワーエレクトロニクスとパワーデバイスの概要
  1.1 パワーエレクトロニクスの概要 
  1.2 パワーデバイスの概要

2.ここだけは抑えておきたい半導体物性
  2.1 バンドギャップの正体とバンド図
  2.2 金属,半導体,絶縁体とフェルミレベル
  2.3 純粋なSiの真正半導体と混ぜ物が主役を果たすn型,p型 
  2.4 電子・ホール密度の定量的扱い
  2.5 デバイスの動作速度も支配する移動度

3.電子機器、家電、車両、産業機器で最も重要なパワーMOSFETとIGBT
  3.1 パワーMOSFET
  3.2 低出力用途の横型(プレーナ型)  構造、電気特性
  3.3   高出力用途の縦型MOSFET
      ①構造と動作原理 
    ②ボディ・ダイオード 
    ③縦型MOSFETの抵抗 
      ④縦型MOSFETの容量
    ⑤縦型MOSFETのスイッチング動作(ミラー効果)
  3.4 IGBT 
      ①構造と動作原理
    ②トランジスタ部分の特性
    ③IGBTの動作特性

4.パワーデバイスのゲート回路とデバイスの選定
  4.1 パワーデバイスの損失 
  4.2 パワーデバイスのゲート回路
  4.3 パワーデバイスの選定・確認
  4.4 パワーデバイスの発熱 

  □ 質疑応答 □