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【Live配信】
CMP技術および
その最適なプロセスを実現するための総合知識
~装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、
応用プロセス、研磨メカニズム~

■スラリー技術、パッド技術とその材料・開発・プロセス評価■
■デバイス応用事例、様々な基板研磨技術■
■CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル■

CMP及び周辺の技術・材料に携わる方々は是非

スラリー、パッド、コンディショナー、、、消耗材の開発・評価のヒントを提示

研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して

最新配線構造、最新のトランジスタ構造、3DNAND、ウエハ接合、各種基板へのCMP応用技術

半導体デバイス製造において、今やなくてはならないキープロセスの基礎と全貌
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2020年6月30日(火)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー(リアルタイム配信) ※会社・自宅にいながら学習可能です※  
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各種割引特典
49,500円 ( S&T会員受講料 46,970円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税4,500円
会員:本体42,700円+税4,270円
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 1名申込みの場合:受講料( 定価:35,200円/S&T会員 33,440円 )

35,200円 ( S&T会員受講料 33,440円 ) 
  定価:本体32,000円+税3,200円
  会員:本体30,400円+税3,040円
※1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
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得られる知識・CMPに関わるあらゆる基礎知識~
 装置技術、スラリー技術、パッド技術、コンディショナー技術
 材料・プロセス評価技術
 デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
・CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル
キーワード:CMP研磨パッド、スラリー、EPD、研磨ヘッド、FinFET、CuCMP、シリコンウエハ、サファイア、SiC

セミナー講師

(株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏
※元NEC/東京精密/ニッタハース/ディスコ
【講師紹介】

セミナー趣旨

 CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀以上が経過した。当初はゲテモノ扱いされていた CMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。各種基板研磨や新たな応用についても解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。

セミナー講演内容

1.CMP装置
 1.1 CMP装置の構成
 1.2 ヘッド構造
 1.3 終点検出技術
 1.4 APC
 1.5 洗浄

2.CMPによる平坦化
 2.1 CMPによる平坦化工程の分類
 2.2 平坦化メカニズム

3.CMP消耗材料
 3.1 各種スラリーの基礎
 3.2 砥粒の変遷
 3.3 添加剤の役割
 3.4 スラリーの評価方法
 3.5 研磨パッドの基礎
 3.6 研磨パッドの評価方法
 3.7 コンディショナーの役割

4.CMPの応用
 4.1 最新配線構造とCMPの詳細
 4.2 最新のトランジスタ構造とCMP
 4.3 3DNANDにおけるCMP
 4.4 ウエハ接合技術とCMP
 4.5 各種基板CMP

5.CMPの材料除去メカニズム
 5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
 5.2 新しいモデル~Feret径モデル
 5.3 Feret径モデルの数値検証
 5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント
 5.5 研磨対象別材料除去メカニズム

まとめ

  □質疑応答□